[实用新型]一种硅二极管银凸点电极的制作设备

说明书

本实用新型属于半导体电镀技术领域，具体涉及一种硅二极管银凸点电极的制作设备。包括电镀槽、支撑装置、探针组、鼓液装置、电极板和电镀电源，所述支撑装置设置在电镀槽口，用于支撑待电镀的二极管芯片，所述鼓液装置和电极板均设置在所述电镀槽内部，所述探针组设置在所述待电镀的二极管芯片上方，且与待电镀的二极管芯片相抵，所述电镀电源正负极分别与所述电极板和探针组相连。本实用新型的有益效果是：电镀时由于先去除了光刻胶，不再有气泡产生，生长出来的银凸点无需再经过腐蚀，可保持原来的形状；由于本申请是与光刻腐蚀同时进行，节约了生产成本，提高了工作效率和银凸点的质量，也不会因为银凸点高度不够问题而返工。

技术领域

本实用新型属于半导体电镀技术领域，具体涉及一种硅二极管银凸点电极的制作设备。

背景技术

半导体硅器件玻璃封装形式的二极管芯片，制造工艺中必须经过形成银凸点电极的工艺过程。由于该器件的封装要求，基片必须要在硅二极管芯片的正面即以n型硅片为衬底扩散一层p区而形成pn结二极管的p型扩散面，在p型引出线的金属区生长一个金属银的凸点以作为引出电极，银凸点高度控制在40微米左右，才有利于玻璃封装或其他封装。如果用蒸发的方法加工，则蒸发时间需很长、效率低、光刻也不易实行。

一般半导体二极管银凸点的蒸镀方法具体为：

1、在二极管芯片正面蒸发金属作为电镀层的底层金属；

2、利用光刻方法，暴露出需要电镀银凸点的区域，用光刻胶保护非电镀区；

3、通过选择电镀的方法使在暴露的区域生长出银凸点，此方法电镀的电流是从二极管芯片正面边缘流向银点电极的；

4、电镀结束后去掉保护的光刻胶，再用腐蚀的方法腐掉银凸点周围多余的底层金属，同时不可避免地会将银凸点腐去一部分。

此工艺方法的缺点是：

使用光刻胶做为电镀保护，光刻胶是有机物质，在生成银凸点电极的过程中，流动的镀液在光刻胶表面极易产生气泡，气泡往往附着在光刻胶上不流动，有气泡区域镀液无法接触到硅片，会使银凸点电极生长得残缺不全，影响银凸点电极外观质量；由于电镀银凸点后的二极管芯片还要经过腐蚀去掉周围的底层金属，已经电镀形成的银凸点电极同时会被腐蚀，对银凸点的高度、形状和表面光泽度都会有一定的影响。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题在于克服现有技术的不足，提供一种硅二极管银凸点电极的制作设备及制作方法，用于解决银凸点电极制作过程中出现的外观质量的问题，不仅能够生产出具有高质量的银凸点电极的半导体，还能缩短生产时间提高生产效率。

本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：一种硅二极管银凸点电极的制作设备，包括电镀槽、支撑装置、探针组、鼓液装置、电极板和电镀电源，所述支撑装置设置在电镀槽口，用于支撑待电镀的二极管芯片，所述鼓液装置和电极板均设置在所述电镀槽内部，所述探针组设置在所述待电镀的二极管芯片上方，且与待电镀的二极管芯片相抵，所述电镀电源正负极分别与所述电极板和探针组相连；还包括与电镀槽同轴心设置的电镀外槽，所述电镀外槽设置在所述电镀槽外部，用于接住所述电镀槽内溢出的电镀液，且与所述电镀槽内部贯通。

进一步地，所述支撑装置包括台面环和支撑立柱，所述台面环呈喇叭口型且上宽下窄，所述台面环下部套接在所述电镀槽口上，所述台面环的上部边缘设置有若干缺口，所述支撑立柱竖直设置在所述台面环上，所述支撑立柱顶端用于支撑所述待电镀的二极管芯片。

进一步地，所述支撑立柱包括不少于三根的第一立柱，所述第一立柱以所述台面环的中心轴线与水平面的交点为圆心呈圆周均布。

进一步地，所述支撑立柱还包括不少于三根的第二立柱，所述第二立柱以所述台面环的中心轴线与水平面的交点为圆心呈圆周均布，且所述第二立柱和第一立柱均匀间隔设置，所述第二立柱到所述台面环的中心轴线的距离大于所述第一立柱到所述台面环中心轴线的距离。