[实用新型]一种热处理装置有效
申请号: | 201920870303.7 | 申请日: | 2019-06-11 |
公开(公告)号: | CN210296306U | 公开(公告)日: | 2020-04-10 |
发明(设计)人: | 周思源 | 申请(专利权)人: | 量伙半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;F27B17/00;F27D11/00;F27D9/00 |
代理公司: | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人: | 高爽 |
地址: | 201302 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 热处理 装置 | ||
1.一种热处理装置,其特征在于,包括热处理腔室、加热器和固定装置,
所述热处理腔室包括上腔室和下腔室,所述加热器位于所述上腔室,热处理对象位于所述下腔室;
所述上腔室的侧壁至少设有一组固定孔,所述加热器设置于所述固定孔中,所述加热器的末端从所述固定孔中伸出,并延伸至所述固定装置的外部;
所述固定装置连接于所述热处理腔室的外壁,用于将所述加热器固定在所述固定孔内。
2.根据权利要求1所述的热处理装置,其特征在于,还包括石英板,所述石英板位于所述上腔室和所述下腔室之间,所述下腔室顶部设有第一开口,所述石英板与所述第一开口密封连接,所述上腔室底部设有第二开口,所述第二开口与所述石英板密封连接。
3.根据权利要求1所述的热处理装置,其特征在于,所述下腔室设有载台,用于承载热处理对象。
4.根据权利要求1所述的热处理装置,其特征在于,还包括风冷组件,所述风冷组件连接于所述上腔室的外壁,所述风冷组件设有进气口和多个出气孔,所述出气孔轴线与所述固定孔轴线平行。
5.根据权利要求1所述的热处理装置,其特征在于,还包括压力平衡管,所述压力平衡管连通于所述上腔室和所述下腔室的侧壁。
6.根据权利要求1所述的热处理装置,其特征在于,所述上腔室为矩形,所述固定孔为直孔,每组所述直孔之间相互平行,所述直孔的两端与所述上腔室的两个相对侧面相通,或只与所述上腔室的一个侧面相通。
7.根据权利要求6所述的热处理装置,其特征在于,所述上腔室设有多组所述固定孔,所述多组固定孔设置为单层或多层。
8.根据权利要求7所述的热处理装置,其特征在于,多组所述固定孔设置为上下两层,下层设有多组所述固定孔,上层设有多组所述固定孔,上层所述多组固定孔在垂直方向上分别设置于下层所述固定孔的两端。
9.根据权利要求1所述的热处理装置,其特征在于,所述加热器为功率可调的热辐射灯管。
10.根据权利要求9所述的热处理装置,其特征在于,还包括控制电路,所述控制电路用于控制不同加热灯管的功率。
11.根据权利要求9所述的热处理装置,其特征在于,还包括石英管,所述石英管的外壁与所述固定孔密封连接,所述热辐射灯管设置于所述石英管内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造