[实用新型]硅晶绝缘体薄型化机台

权利要求书

1.一种硅晶绝缘体薄型化机台，其特征在于，所述硅晶绝缘体包括基板、绝缘层以及硅层，所述绝缘层设在所述基板和所述硅层之间；所述薄型化机台包括：

输送单元，所述硅晶绝缘体置于所述输送单元上且沿路径运送；

研磨单元，设置于所述路径上，所述硅晶绝缘体随所述输送单元送经所述研磨单元，且对所述硅层研磨而进行第一阶段薄化；

抛光单元，设置于所述路径上且位于所述研磨单元之后，所述硅晶绝缘体随所述输送单元送经所述抛光单元，且对所述硅层抛光而进行第二阶段薄化；以及

蚀刻单元，设置于所述路径上且位于所述抛光单元之后，所述硅晶绝缘体随所述输送单元送经所述蚀刻单元，且对所述硅层蚀刻而进行第三阶段薄化。

2.如权利要求1所述的硅晶绝缘体薄型化机台，其特征在于，所述研磨单元设有一研磨腔室，所述硅晶绝缘体随所述输送单元送经所述研磨单元时，被密闭在所述研磨腔室中以进行所述第一阶段薄化的研磨。

3.如权利要求2所述的硅晶绝缘体薄型化机台，其特征在于，所述蚀刻单元设有蚀刻腔室，所述蚀刻腔室和所述研磨腔室为隔离设置，所述硅晶绝缘体随所述输送单元送经所述蚀刻单元时，被密闭在所述蚀刻腔室中以进行所述第三阶段薄化的蚀刻。

4.如权利要求3所述的硅晶绝缘体薄型化机台，其特征在于，所述抛光单元设有抛光腔室，所述抛光腔室和所述研磨腔室及所述蚀刻腔室为隔离设置，所述硅晶绝缘体随所述输送单元送经所述抛光单元时，被密闭在所述抛光腔室中以进行所述第二阶段薄化的抛光。

5.如权利要求1所述的硅晶绝缘体薄型化机台，其特征在于，所述蚀刻单元为干式蚀刻。

6.如权利要求1所述的硅晶绝缘体薄型化机台，其特征在于，所述蚀刻单元为湿式蚀刻。

7.如权利要求1所述的硅晶绝缘体薄型化机台，其特征在于，所述硅晶绝缘体于所述绝缘层形成有空腔结构。

8.如权利要求1所述的硅晶绝缘体薄型化机台，其特征在于，在所述路径上且在所述抛光单元与所述蚀刻单元之间设有检测单元，通过所述检测单元检测所述硅层在所述第二阶段薄化时经所述抛光后的平整度并提供给所述蚀刻单元。