[实用新型]Nor闪存DFN封装结构有效
| 申请号： | 201920878219.X | 申请日： | 2019-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN209822621U | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 杨东恩;唐维强 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯天下技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L27/115 |
| 代理公司： | 44217 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郭伟刚 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装结构 基板 晶片 封装 本实用新型 引脚 厚度降低 小型产品 引线连接 面积和 减小 摄像 指纹 对称 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种Nor闪存DFN封装结构，其特征在于：包括基板、封装于基板上的晶片、固定在所述晶片上的六个引脚以及多个引线；
所述六个引脚对称设于基板的两侧，所述多个引线连接晶片和基板；
所述封装结构的长为1.15mm～1.25mm；
所述封装结构的宽为1.15mm～1.25mm；
所述封装结构的高为0.35mm～0.4mm。
2.根据权利要求1所述的Nor闪存DFN封装结构，其特征在于：
所述晶片的厚度为90um。
3.根据权利要求1所述的Nor闪存DFN封装结构，其特征在于：
所述晶片通过塑料胶包裹。
4.根据权利要求1所述的Nor闪存DFN封装结构，其特征在于：
所述封装结构的长宽高分别为1.2mm、1.2mm和0.4mm。
5.根据权利要求1所述的Nor闪存DFN封装结构，其特征在于：
所述引脚凸出所述基板底面的高度为0～0.05mm。
6.根据权利要求1所述的Nor闪存DFN封装结构，其特征在于：
所述引脚凸出所述基板底面的高度为0.02mm。
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