[实用新型]Nor闪存DFN封装结构

说明书

本实用新型公开了一种Nor闪存DFN封装结构，包括基板、封装于所述基板上的晶片、固定在所述晶片上的六个引脚以及多个引线；所述六个引脚对称设于基板的两侧，所述多个引线连接晶片和基板；所述封装结构的长为1.15mm～1.25mm；所述封装结构的宽为1.15mm～1.25mm；所述封装结构的高为0.35mm～0.4mm。本实用新型的封装结构的面积和厚度降低，从而使得体积更小，可以更广泛的应用在屛下指纹和摄像头等小型产品的需求。同时，因为封装体积的减小，也进一步降低了封装的成本。

技术领域

本实用新型涉及集成电路封装技术领域，具体涉及一种Nor闪存DFN封装结构。

背景技术

NOR闪存是一种非易失闪存技术，DFN封装是一种表面贴装封装技术。随着电子产业的快速发展，计算机或其他电子产品上越来越多的直接使用电子模块来节省空间，设置于该电子模块上的印刷电路板上需要设置若干个管脚，过去Nor闪存DFN封装以DFN2mm*3mm*0.55mm为主，这种封装的主要问题是面积和厚度太大，不能满足屏下指纹和摄像头等小型产品的需求。

发明内容

针对现有技术存在的不足，本实用新型的目的在于提供一种Nor闪存DFN封装结构，减少了面积和厚度，使其可以满足小型产品的需求。

为实现上述目的，本实用新型提供一种Nor闪存DFN封装结构，包括基板、封装于所述基板上的晶片、固定在所述晶片上的六个引脚以及多个引线；

所述六个引脚对称设于基板的两侧，所述多个引线连接晶片和基板；

所述封装结构的长为1.15mm～1.25mm；

所述封装结构的宽为1.15mm～1.25mm；

所述封装结构的高为0.35mm～0.4mm。

在技术方案的基础上，所述晶片的厚度为90um。

在技术方案的基础上，所述晶片通过塑料胶包裹。

在技术方案的基础上，所述封装结构的长宽高分别为1.2mm、1.2mm和0.4mm。

在技术方案的基础上，所述引脚凸出所述基板底面的高度为0～0.05mm。

在技术方案的基础上，所述引脚凸出所述基板底面的高度为0.02mm。

与现有技术相比，本实用新型的体积相对于原有技术大大减少,从而大大减小了封装体积。本实用新型在满足晶片在满足摆放晶片和晶片功能使用正常的条件下，设计6个引脚，使Nor的有效管脚都能得到定义，能使产品的面积降大大降低，厚度也相应降低，从而使得体积更小，可以更广泛的应用在屛下指纹和摄像头等小型产品的需求。同时，因为封装体积的减小，也进一步降低了封装的成本。

附图说明

图1是本实用新型实施例Nor闪存DFN封装结构的结构示意图。

图2是本实用新型实施例Nor闪存DFN封装结构的俯视结构示意图。

图3是本实用新型实施例Nor闪存DFN封装结构的侧视结构示意图。

图4是本实用新型实施例Nor闪存DFN封装结构的仰视结构示意图。

附图标记：1-引脚、2-基板、3-引线、4-晶片。

具体实施方式

下面将结合附图对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。