[实用新型]校准夹具有效
申请号: | 201920891320.9 | 申请日: | 2019-06-13 |
公开(公告)号: | CN209747490U | 公开(公告)日: | 2019-12-06 |
发明(设计)人: | A·迈尔斯;D·M·库索;P·村冈;P·A·克里米诺儿 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
代理公司: | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 侯颖媖;张鑫<国际申请>=<国际公布>= |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 校准 透明板 夹具 接触垫 传感器 参考表面 定位边缘 边缘环 可调整 | ||
本文描述了用于校准高度可调整的边缘环的设备。在一个示例中,提供一种用于相对于参考表面定位边缘环的校准夹具,所述校准夹具包括:透明板;多个传感器,所述多个传感器耦接到所述透明板的第一侧;以及多个接触垫,所述多个接触垫耦接到所述透明板的相对的第二侧。
技术领域
本公开的各示例整体涉及用于处理诸如半导体基板之类的基板的设备和方法。更具体地,公开了一种校准夹具及其使用方法。
背景技术
在基板(诸如半导体基板和显示面板)的处理中,基板被放置在工艺腔室中的支撑件上,同时在工艺腔室中维持合适的工艺条件以在基板的表面上沉积、蚀刻、形成层或以其它方式处理基板的表面。在蚀刻工艺期间,驱动蚀刻工艺的等离子体可能不均匀地分布在基板表面上。不均匀性在基板表面的边缘处特别明显。这样的不均匀性产生不良处理结果。因此,一些工艺腔室使用边缘环,边缘环也可以被称为工艺配件环。这些边缘环可用于使等离子体鞘层在基板表面的边缘上方延伸,以便增加等离子体均匀性并提高工艺良率。
这些边缘环典型地与在腔室内的特定参考表面共面或平行,以便提供良好结果。然而,在处理期间,边缘环随时间而腐蚀。为了考虑到腐蚀,一些边缘环可相对于在工艺腔室内的参考表面移动。最终,边缘环腐蚀到需要更换的程度。然而,在边缘环中的紧密公差可能导致结合,从而造成边缘环在安装期间相对于参考表面错位。为了校正在安装期间的这种错位,边缘环相对于参考表面重定位,这常规地是耗时的。
因此,本领域中需要减少在边缘环更换期间的停机时间的方法和设备。
实用新型内容
本文描述用于校准高度可调整的边缘环的设备和方法。在一个示例中,提供一种用于相对于参考表面定位边缘环的校准夹具,所述校准夹具包括:透明板;多个传感器,所述多个传感器耦接到所述透明板的第一侧;以及多个接触垫,所述多个接触垫耦接到所述透明板的相对的第二侧。
在另一个示例中,提供一种用于相对于参考表面定位边缘环的校准夹具,所述校准夹具包括:透明板,所述透明板包括形成为穿过所述透明板的多个开口;多个传感器,所述多个传感器耦接到所述透明板的第一侧;以及多个接触垫,所述多个接触垫耦接到所述透明板的相对的第二侧。
在另一个示例中,提供一种用于相对于参考表面调平边缘环的方法,所述方法包括:相对于所述参考表面定位校准夹具;使用在三个轴线处耦接到所述边缘环的多个驱动电机来相对于所述参考表面移动所述边缘环;使用耦接到所述校准夹具的传感器来感测所述边缘环的移动,每个传感器对应于相应的驱动电机的位置;计算所有轴线之间的偏移;以及将校准值存储在系统控制器中。
附图说明
为了能够详细地理解本公开的上述特征所用方式,可以参考本公开的各方面进行对上面简要地概述的本公开的更特定的描述,其中一些在附图中示出。然而,应当注意,附图仅示出了本公开的典型的实施方式,并且因此不应当被视为对本公开的范围的限制,因为本公开可以允许其它等效实施方式。
图1是根据本公开的一个示例的工艺腔室的示意性横截面侧视图。
图2A是用于调平高度可调整的边缘环的校准夹具的示意性侧视图。
图2B是沿着图2A的线2B-2B的顶视图,示出图1的工艺腔室的一部分,所述工艺腔室的一部分中具有校准夹具。
图3是概括利用如本文所述的校准夹具的方法的实施方式的流程图。
为了便于理解,已经尽可能地使用相同的附图标记指定各图共有的相同元件。另外,一个示例中的要素可以有利地适于用于本文所述的其它示例。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造