[实用新型]一种调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度结构有效

申请号：	201920896749.7	申请日：	2019-06-14
公开（公告）号：	CN210073777U	公开（公告）日：	2020-02-14
发明（设计）人：	廖海涛	申请（专利权）人：	江苏邑文微电子科技有限公司
主分类号：	H01L21/67	分类号：	H01L21/67;H01J37/32;H01L21/687
代理公司：	11400 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙)	代理人：	施荣华;胡建锋
地址：	226000 江苏***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	半导体刻蚀设备支撑柱顶针活动连接有高度结构工艺腔载物台硅片顶针板绝缘膜弹簧针体本实用新型等离子刻蚀白色圆点顶部设置硅片背面刻蚀设备异常放电氧化膜卡环
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【权利要求书】：

1.一种调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度结构，包括载物台(1)，其特征在于：

所述载物台(1)的顶部设置有绝缘膜(2)，所述绝缘膜(2)远离载物台(1)的一侧活动连接有硅片(3)，所述载物台(1)和绝缘膜(2)的一侧开设有活动槽(4)，所述载物台(1)的一侧固定连接有第一支撑柱(5)和第二支撑柱(6)，所述第一支撑柱(5)的外表面活动连接有弹簧(7)，所述弹簧(7)的一端活动连接有顶针板(8)，所述第一支撑柱(5)的一端固定连接有挡板(9)，所述顶针板(8)远离弹簧(7)的一侧活动连接有卡环(10)；

所述第二支撑柱(6)远离载物台(1)的一侧固定连接有限位块(11)，所述限位块(11)远离第二支撑柱(6)的一侧开设有限位槽(12)，所述顶针板(8)一侧的两端均固定连接有限位柱(13)，所述顶针板(8)一侧的中心开设有卡槽(14)，所述卡槽(14)的内部镶嵌有活动环(15)，所述顶针板(8)一侧靠近限位柱(13)的两端均开设有螺纹槽(16)，所述螺纹槽(16)的内部设置有顶针把手(17)，所述顶针把手(17)的一端固定连接有针体(18)。

2.根据权利要求1所述的一种调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度结构，其特征在于，

所述活动槽(4)和第二支撑柱(6)的数量为两个；

所述活动槽(4)的内壁与针体(18)远离顶针把手(17)的一端活动连接。

3.根据权利要求1所述的一种调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度结构，其特征在于，

所述弹簧(7)远离顶针板(8)的一端与载物台(1)固定连接。

4.根据权利要求1所述的一种调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度结构，其特征在于，

所述限位柱(13)远离顶针板(8)的一端与限位槽(12)的内壁活动连接。

5.根据权利要求1所述的一种调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度结构，其特征在于，

所述活动环(15)的内壁与支撑柱(5)的外表面活动连接。

6.根据权利要求1所述的一种调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度结构，其特征在于，

所述支撑柱(5)靠近挡板(9)一端的外表面设置有螺纹；

所述卡环(10)的内壁与支撑柱(5)靠近挡板(9)的一端螺纹连接。