[实用新型]一种调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度结构

说明书

本实用新型公开了一种调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度结构，涉及刻蚀设备技术领域，该调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度结构，包括载物台，所述载物台的顶部设置有绝缘膜，所述绝缘膜远离载物台的一侧活动连接有硅片，所述载物台的一侧固定连接有第一支撑柱和第二支撑柱，所述第一支撑柱的外表面活动连接有弹簧，所述弹簧的一端活动连接有顶针板。该调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度结构，通过在第一支撑柱上设置卡环，能够根据情况调整顶针板和载物台，便于调整针体和硅片的距离，避免了半导体刻蚀设备在氧化膜等离子刻蚀时经常发生异常放电，导致硅片背面有白色圆点缺陷的情况出现，实现了调整针体和硅片距离的目的。

技术领域

本实用新型涉及刻蚀设备技术领域，具体为一种调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度结构。

背景技术

刻蚀是半导体制造工艺，是通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。随着微制造工艺的发展，刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，在刻蚀过程中硅片背面会不断聚集静电电荷，当静电电荷聚集到一定的数量时，硅片背面与顶针的顶端会发生异常放电，导致硅片背面产生缺陷，故而提出一种调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度结构。

实用新型内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度结构，解决了因硅片背面与顶针的顶端会发生异常放电，导致硅片背面产生缺陷的问题。

(二)技术方案

为实现以上目的，本实用新型通过以下技术方案予以实现：

一种调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度结构，包括载物台，所述载物台的顶部设置有绝缘膜，所述绝缘膜远离载物台的一侧活动连接有硅片，所述载物台和绝缘膜的一侧开设有活动槽，所述载物台的一侧固定连接有第一支撑柱和第二支撑柱，所述第一支撑柱的外表面活动连接有弹簧，所述弹簧的一端活动连接有顶针板，所述第一支撑柱的一端固定连接有挡板，所述顶针板远离弹簧的一侧活动连接有卡环；

所述第二支撑柱远离载物台的一侧固定连接有限位块，所述限位块远离第二支撑柱的一侧开设有限位槽，所述顶针板一侧的两端均固定连接有限位柱，所述顶针板一侧的中心开设有卡槽，所述卡槽的内部镶嵌有活动环，所述顶针板一侧靠近限位柱的两端均开设有螺纹槽，所述螺纹槽的内部设置有顶针把手，所述顶针把手的一端固定连接有针体。

可选的，所述活动槽和第二支撑柱的数量为两个；

所述活动槽的内壁与针体远离顶针把手的一端活动连接。

可选的，所述弹簧远离顶针板的一端与载物台固定连接。

可选的，所述限位柱远离顶针板的一端与限位槽的内壁活动连接。

可选的，所述活动环的内壁与支撑柱的外表面活动连接。

可选的，所述支撑柱靠近挡板一端的外表面设置有螺纹；

所述卡环的内壁与支撑柱靠近挡板的一端螺纹连接。

可选的，所述顶针把手的外表面设置有螺纹；

所述螺纹槽的内壁与顶针把手的外表面螺纹连接。

可选的，所述针体和弹簧的材质为金属材质，并对针体远离顶针把手的一端进行绝缘处理。

(三)有益效果

本实用新型提供了一种调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度结构，具备以下有益效果：