[实用新型]一种晶硅电池、晶硅电池组件及太阳能系统有效
| 申请号： | 201920904253.X | 申请日： | 2019-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN209708992U | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 苏州联诺太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/068 |
| 代理公司： | 32103 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 郝彩华<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶硅电池 金属薄膜层 导电薄膜层 导电氧化物薄膜 本实用新型 太阳能系统 背面设置 导电性能 硅电池 种晶 替代 | ||
1.一种晶硅电池，包括分别设置于所述晶硅电池的正面和/或背面的导电薄膜层，其特征在于：所述导电薄膜层包括TCO层和至少一层的金属薄膜层，所述金属薄膜层设置在所述TCO层上。
2.根据权利要求1所述的晶硅电池，其特征在于：所述金属薄膜层为通过Ag、Au、Al、Cu、Ti、Ni、Bi或Mo中的任一单一金属材料制备的薄膜层。
3.根据权利要求1所述的晶硅电池，其特征在于：所述金属薄膜层为通过Ag、Au、Al、Cu、Ti、Ni、Bi或Mo中的任一单一金属材料制备的薄膜层叠加形成。
4.根据权利要求1所述的晶硅电池，其特征在于：所述金属薄膜层的厚度为10～50nm。
5.根据权利要求1所述的晶硅电池，其特征在于：所述金属薄膜层的厚度为50～300nm。
6.根据权利要求1所述的晶硅电池，其特征在于：所述晶硅电池还包括设置在所述金属薄膜层上的栅电极。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的晶硅电池，其特征在于：所述晶硅电池还包括设置在所述金属薄膜层上的保护层。
8.根据权利要求7所述的晶硅电池，其特征在于：所述保护层为透明导电氧化物层。
9.根据权利要求1所述的晶硅电池，其特征在于：采用PVD方法制备所述金属薄膜层。
10.根据权利要求9所述的晶硅电池，其特征在于：所述PVD方法至少包括磁控溅射法。
11.根据权利要求1所述的晶硅电池，其特征在于，所述TCO层为ITO，AZO，GZO，GIO，IGZO，IZO，STO，FTO，ZTO中任意一种氧化物形成的薄膜层。
12.根据权利要求1所述的晶硅电池，其特征在于，所述TCO层为ITO，AZO，GZO，GIO，IGZO，IZO，STO，FTO，ZTO中至少两种氧化物形成的膜层重叠而成的薄膜层。
13.一种晶硅电池组件，其特征在于，包括如权利要求1~12中任一项所述的晶硅电池。
14.根据权利要求13所述的晶硅电池组件，其特征在于：所述晶硅电池组件至少包括一个所述晶硅电池。
15.一种太阳能系统，其特征在于，包括如权利要求1~12中任一项所述的晶硅电池。
16.根据权利要求15所述的太阳能系统，其特征在于：所述太阳能系统至少包括一个所述晶硅电池。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
