[实用新型]一种晶硅电池、晶硅电池组件及太阳能系统

说明书

本实用新型公开了一种晶硅电池、晶硅电池组件及太阳能系统，晶硅电池包括分别设置于所述晶硅电池的正面和/或背面的导电薄膜层，所述导电薄膜层包括TCO层和至少一层的金属薄膜层，所述金属薄膜层设置在所述TCO层上。该晶硅电池通过在晶硅电池的正面和/或背面设置金属薄膜层来部分替代现有技术中的导电氧化物薄膜层，降低了晶硅电池的成本，并可提升晶硅电池的导电性能。

技术领域

本实用新型涉及晶硅电池制造技术领域，具体涉及一种晶硅电池、晶硅电池组件及太阳能系统。

背景技术

晶硅电池如异质结电池为以n型单晶硅片（c-Si）为衬底，在经过清洗制绒的n 型单晶硅片（c-Si）正面依次沉积厚度为5~10nm 的本征非晶硅薄膜（i-a-Si:H）、p型非晶薄膜（p-a-Si:H），从而形成p-n异质结；在n 型单晶硅片（c-Si）背面依次沉积厚度为5~10nm的本征非晶硅薄膜（i-a-Si:H）、n型非晶硅薄膜（n-a-Si:H）形成背表面场；在掺杂a-Si:H薄膜的两侧再沉积透明导电氧化物薄膜（TCO）；最后通过丝网印刷技术在两侧的TCO层上形成金属集电极。这种晶硅电池的透明导电氧化物薄膜（TCO）虽然有良好的透明性，但是其成本高且导电性弱。

实用新型内容

本实用新型的目的是针对现有技术中的问题，提供一种改进的晶硅电池。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：

一种晶硅电池，包括分别设置于所述晶硅电池的正面和/或背面的导电薄膜层，所述导电薄膜层包括TCO层和至少一层的金属薄膜层，所述金属薄膜层设置在所述TCO层上。

优选地，所述金属薄膜层为通过Ag、Au、Al、Cu、Ti、Ni、Bi或Mo中的任一单一金属材料制备的薄膜层。

优选地，所述金属薄膜层为通过Ag、Au、Al、Cu、Ti、Ni、Bi或Mo中的任一单一金属材料制备的薄膜层叠加形成。

优选地，所述金属薄膜层的厚度为10～50nm。

优选地，所述金属薄膜层的厚度为50～300nm。

优选地，所述晶硅电池还包括设置在所述金属薄膜层上的栅电极。

优选地，所述晶硅电池还包括设置在所述金属薄膜层上的保护层。

进一步地，所述保护层为透明导电氧化物层。

优选地，采用PVD方法制备所述金属薄膜层。

进一步地，所述PVD方法至少包括磁控溅射法。

优选地，所述TCO层为ITO，AZO，GZO，GIO，IGZO，IZO，STO，FTO，ZTO中任意一种氧化物形成的薄膜层。

优选地，所述TCO层为ITO，AZO，GZO，GIO，IGZO，IZO，STO，FTO，ZTO中至少两种氧化物形成的膜层重叠而成的薄膜层。

本实用新型还提供一种晶硅电池组件，包括如上述任一项所述的晶硅电池。

优选地，所述晶硅电池组件至少包括一个所述晶硅电池。

本实用新型还提供一种太阳能系统，包括如上述任一项所述的晶硅电池。

优选地，所述太阳能系统至少包括一个所述晶硅电池。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：本实用新型的晶硅电池通过在晶硅电池的正面和/或背面设置金属薄膜层来部分替代现有技术中的导电氧化物薄膜层，降低了晶硅电池的成本，并可提升晶硅电池的导电性能。

附图说明

附图1为本实用新型的晶硅电池的结构示意图。