[实用新型]一种等离子体CVD装置的腔内台升降机构

说明书

本实用新型公开了一种等离子体CVD装置的腔内台升降机构，机架的工作平台上设有等离子腔，等离子腔下端的开口处设有腔体法兰，工作平台下方的机架上竖直设有导轨，升降机构包括设置在导轨上由电机驱动的升降座，升降座的一侧设有水平结构的升降台，升降台上方设有用于密封等离子腔下端开口的升降法兰，升降台与升降法兰之间设有缓冲机构，等离子体CVD装置的腔内台通过支撑管固定在升降台上，腔内台位于升降法兰的上方且与等离子腔下端的开口相对应。本实用新型的升降机构在腔内台升降时具有缓冲功能，等离子腔密封性好且升降机构的使用寿命长，具有很高的实用价值。

技术领域

本实用新型属于化学气相沉积技术领域，具体涉及一种等离子体CVD装置的腔内台升降机构。

背景技术

化学气相沉积（CVD）广泛应用于钻石的合成，将混合气体（氢气、氧气、氮气及甲烷等）送入等离子腔内进行加热，在等离子腔内形成一种碳等离子体，该等离子体中的碳不断沉积在等离子腔内的基材（碳底层）上，并逐渐积聚和硬化，从而形成钻石薄膜或薄片。现有技术的微波CVD设备结构复杂，且升降机构与等离子腔之间不设缓冲机构，等离子腔封闭时升降法兰与等离子腔之间为刚性接触，容易影响升降机构的使用寿命或等离子腔的密封性。公开日为2011年12月7日，公开号为CN102272350A的中国专利文件公开了一种等离子CVD 装置，具有第一真空室部件，其具有与第一方向交叉的第一侧面，该第一侧面上形成有第一开口；第二真空室部件，其具有与上述第一方向交叉的第二侧面，所述第二侧面上形成有第二开口，在上述第一方向上与上述第二侧面面对着的第三侧面，当上述第二侧面与上述第一侧面接合时，在上述第一真空室部件和上述第二真空室部件的内部形成包括上述第一、第二开口在内的能排气成真空状态的内部空间；喷射板，其设置在上述内部空间内并贯穿上述第一和第二开口；取出部，其设置在上述第三侧面上，用来沿上述第一方向从上述内部空间取出上述喷射板。但这种等离子CVD 装置的真空室采用侧面开口的方式。

实用新型内容

本实用新型的目的是为解决现有技术的等离子体CVD装置的腔内台升降机构存在的问题，提供一种等离子体CVD装置的腔内台升降机构，腔内台升降时具有缓冲功能，等离子腔密封性好且升降机构的使用寿命长。

本实用新型为解决上述技术问题所采用的技术方案是，一种等离子体CVD装置的腔内台升降机构，设置在机架上，所述机架的工作平台上设有等离子腔，等离子腔的下端设有开口，开口处设有腔体法兰，所述工作平台下方的机架上竖直设有导轨，所述升降机构包括设置在导轨上的升降座，所述升降座由电机驱动，升降座的一侧设有水平结构的升降台，升降台上方设有用于密封等离子腔下端开口的升降法兰，升降台与升降法兰之间设有缓冲机构，等离子体CVD装置的腔内台通过支撑管固定在升降台上，腔内台位于升降法兰的上方且与等离子腔下端的开口相对应；升降机构还包括限位开关，所述限位开关连接电机。本实用新型的升降台与升降法兰之间设有缓冲机构，当腔内台上升进入等离子腔内，升降法兰与腔内法兰接触时可以避免直接碰撞，避免了由于硬碰撞对升降机构及电机带来的冲击，延长了升降机构的使用寿命。同时缓冲机构本身的弹性缓冲力可以使升降法兰与腔体法兰之间结合更加紧密，避免升降法兰与腔体法兰之间可能出现的松动，从而确保了等离子腔的密封性。

作为优选，缓冲机构包括固定在升降法兰底面的若干根导柱，导柱上套设有弹簧，升降台上设有与导柱对应的导套，导柱穿过所述的导套，其下端固定在升降台下方设置的上固定环上。当升降法兰上升与腔体法兰抵接时，理论上限位开关动作电机转动应当立即停止，但受电机转动惯性及制造误差等影响，实际上升降法兰上升与腔体法兰抵接时可能出现硬碰撞或升降法兰上升与腔体法兰结合不够紧密的情形；本实用新型在升降法兰下方设置缓冲弹簧，实际控制中升降法兰上升与腔体法兰抵接时电机可以多转一定的角度，而依靠弹簧压缩使避免升降法兰与腔体法兰之间的硬碰撞，这样还可以避免升降法兰与腔体法兰之间结合不够紧密，可以确保等离子腔的密封。

作为优选，导柱为3-6根，在升降法兰底面环绕中心均匀布置，所述的导套固定在升降台的底面，所述的上固定环位于导套的下侧。