[实用新型]清洁装置及离子植入设备

说明书

本实用新型提供了一种清洁装置及离子植入设备，所述清洁装置包括刷子、控制模块和用于固定所述刷子的基座，所述控制模块用于控制所述基座带动所述刷子在所述磁分析器单元的腔室内移动，以使所述刷子与所述腔室的内壁相抵触并擦拭所述腔室的内壁。本实用新型所提供的清洁装置和离子植入设备不仅结构简单，使用方便，而且能够显著降低半导体设备周期性维护的次数，从而提高出货率。

技术领域

本实用新型涉及半导体设备领域，特别涉及一种清洁装置及离子植入设备。

背景技术

离子植入(也被称为离子注入)是在半导体器件制造中经常采用的物理工艺，用于选择性地将掺杂剂植入到衬底(例如晶圆等)中。在半导体领域中，离子植入过程通常由离子植入设备来实现。离子植入设备可以包括离子源与磁分析器单元(Analyzer MagneticUnit，AMU)。离子源被用于将可电离物质电离，以产生期望的特定类型的离子的流。磁分析器单元用于对离子源所产生的离子流中的离子进行筛选，从而使得期望的特定类型的离子(例如，具有特定质荷比的离子)能够通过磁分析器单元，同时阻挡不期望的杂质粒子的通过。

在实践中发现，在离子植入过程中，离子束在经过所述磁分析器单元的腔室(chamber)时，除了用于照射半导体材料且最后停留在半导体材料中的特征离子外，一些轻离子(Lighter Ion)或重离子(Heavier Ion)可能会停留在腔室的内壁上，久而久之会产生剥落层(peeling)且悬挂在所述磁分析器单元的腔室的顶层，离子束(beam)在经过磁分析器单元的腔室时会有一部分离子束被遮挡，到后端会影响离子束的大小。

目前，为了确保离子植入流程正常、稳定的进行，需要周期性的对半导体设备进行保养，即周期性维护(Periodical Maintain，PM)。显然地，周期性维护是经过一段时间才对半导体设备进行维护，比如季保甚至更长的时间进行一次维护，所述剥落层只是在周期性维护中被常规的清理掉。而通常情况，在周期性维护之前，磁分析器单元的腔室内的剥落层可能会产生剥落，一旦出现这种问题再停机进行清理，不仅会增加停机时间和影响机台产出，甚至由于这些剥落而影响产品良率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种清洁装置及离子植入设备，所述清洁装置用于清洁磁分析器单元的腔室。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供了一种清洁装置，通过以下技术方案予以实现：

一种清洁装置，用于清理磁分析器单元的腔室，所述清洁装置包括刷子、基座和控制模块，所述基座与所述刷子连接，所述控制模块与所述基座连接，所述控制模块用于控制所述基座带动所述刷子在所述腔室内移动，以使所述刷子与所述腔室的内壁相抵触并擦拭所述腔室的内壁。

可选地，所述控制模块用于控制所述基座沿第一方向移动，所述基座用于带动所述刷子移动；

所述控制模块还用于控制所述刷子沿第二方向伸缩；

所述刷子用于清理所述腔室的内壁；

其中，所述腔室为具有弯曲弧度的空腔，所述第一方向为所述腔室的长度方向；

所述第二方向为所述腔室的宽度方向。

可选地，还包括设置于所述腔室内部的轨道，所述轨道沿所述第一方向延伸；以及，

固定设置于所述基座的底部并与所述轨道配合的滑轮；

所述控制模块用于控制所述滑轮沿所述轨道正向或反向移动。

可选地，所述轨道设置于所述腔室的顶部，且所述轨道沿所述第一方向从所述腔室的入口端延伸至所述腔室的出口端。