[实用新型]一种真空沉积系统样品加热台

说明书

一种真空沉积系统样品加热台，包括样品台、加热装置、温度监测装置和绝缘保护层，所述样品台设有支架并通过所述支架与真空腔内壁连接固定；所述加热装置包括加热电极和加热导线，所述加热电极和加热导线铺设于所述样品台；所述温度监测装置包括温度传感器和温度控制显示器，所述温度监测装置的所述温度传感器设于所述样品台；本实用新型的加热导线可以直接对样品进行加热，具有加热效率高，能耗低的特点，加热丝根据所需温度分布铺设在样品台上，在加热过程中不会变形，从而导致短路等现象发生，加热台还设有温度监测装置，能实时监测和控制绝缘样品台的温度，适用于多种有机半导体小分子的控温生长。

技术领域

本实用新型涉及一种真空沉积系统样品加热台。

背景技术

真空沉积系统中的样品台对样品的加热能使有利于实现对有机半导体分子的控温生长，获得具备更优异性能的有机半导体层，从而提高器件性能。但是，传统加热丝一般与样品台空间分离，由加热丝先对样品台加热，然后样品台加热置于样品台上的衬底，导致加热效率低，加热丝温度过高的，能耗大的缺点。另外，传统加热丝由于空间约束少，容易出现变形，与周围其他部位短路现象。

实用新型内容

为解决现有技术中的问题，本实用新型提供以下技术方案：一种真空沉积系统样品加热台，其特征在于，包括样品台、加热装置、温度监测装置和绝缘保护层，所述样品台设有支架并通过所述支架与真空腔内壁连接固定；所述加热装置包括加热电极和加热导线，所述加热电极和加热导线铺设于所述样品台；所述温度监测装置包括温度传感器和温度控制显示器，所述温度监测装置的所述温度传感器设于所述样品台。

进一步地，所述温度监测装置与所述加热装置连接，所述温度监测装置控制所述加热装置使所述样品台的温度控制在600摄氏度以下。

进一步地，所述加热装置的所述加热电极连接所述加热导线，所述加热电极设于所述样品台一侧，所述加热导线铺设于所述样品台上。

进一步地，所述所述绝缘保护层覆盖于所述样品台上方将所述加热装置和温度监测装置与待加工样品电隔离。

进一步地，所述加热装置通过所述加热电极连接导线并通过真空腔上的真空法兰连接到外部控制电源与温控装置。

进一步地，所述样品台和所述绝缘保护层为内置于真空腔内部。

本实用新型的有益效果在于：本实用新型的加热导线可以直接对样品进行加热，具有加热效率高，能耗低的特点，由于加热丝均匀铺设于样品台上，在加热过程中不会变形，从而导致短路等现象发生，另外，加热台还设有温度监测装置，能实时监测和控制样品的温度，适用于多种有机半导体分子的控温生长。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图；

附图标记说明：样品台1、绝缘保护层2、样品支架3、加热电极4、加热导线5、温度传感器6、温度控制显示器7。

具体实施方式

下面将结合附图，对本实用新型作进一步解释，本实用新型提供以下技术方案：一种真空沉积系统样品加热台，如图1所示，包括样品台1、加热装置、温度监测装置和绝缘保护层2，所述样品台1设有支架3并通过所述支架3与真空腔内壁连接固定；所述加热装置包括加热电极4和加热导线5，所述加热电极4和加热导线5铺设于所述样品台1；所述温度监测装置包括温度传感器6和温度控制显示器7，所述温度监测装置的所述温度传感器6设于所述样品台1；

所述温度监测装置与所述加热装置连接，所述温度监测装置控制所述加热装置使所述样品台1的温度控制在600摄氏度以下，对于不同的有机小分子样品，设定不同的温度值，还可连接计算机和数据寄存器，以记录和分析不同的温度状态下样本的变化情况；