[实用新型]一种半导体生产用蚀刻加工设备有效
申请号: | 201920917816.9 | 申请日: | 2019-06-18 |
公开(公告)号: | CN210073778U | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 廖海涛 | 申请(专利权)人: | 无锡邑文电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G05B19/042 |
代理公司: | 11411 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 黄冠华 |
地址: | 214000 江苏省无锡市新区太湖国际科*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 驱动电机 滚筒 输送带 喷头 半导体生产 本实用新型 蚀刻加工 限位轮组 防溅板 蚀刻液 外壳体 风机 皮带 外部电源开关 信号处理模块 半导体板 电子压力 控制模块 离心风机 内部安装 蚀刻设备 输入面板 依次并联 依次串联 出风板 储液箱 控制箱 体内部 套接 外溅 限位 水泵 阻拦 喷射 外部 | ||
本实用新型属于蚀刻设备技术领域,公开了一种半导体生产用蚀刻加工设备,包括外壳体,所述外壳体两端的表面均安装有驱动电机滚筒,所述驱动电机滚筒的外部套接有输送带,所述驱动电机滚筒的内部安装有储液箱;本实用新型还公开了一种半导体生产用蚀刻加工设备的实现系统,包括与驱动电机滚筒、水泵、离心风机、第一风机、第二风机和控制箱依次并联的外部电源开关,输入面板、信号处理模块、控制模块和电子压力阀依次串联连接;通过外壳体内部安装的防溅板,使得防溅板对蚀刻液进行阻拦,避免喷头喷射的半导体板蚀刻液向外溅出,同时喷头和出风板管下方安装在皮带限位轮组,使得输送带通过皮带限位轮组进行限位。
技术领域
本实用新型属于蚀刻设备技术领域,具体涉及一种半导体生产用蚀刻加工设备。
背景技术
蚀刻机,用于半导体板进行蚀刻的设备,使得半导体板表面蚀刻出固定走向的纹路,蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术,最早可用来制造铜版、锌版等印刷凹凸版,也广泛地被使用于减轻重量仪器镶板,铭牌及传统加工法难以加工之薄形工件等的加工,传统的蚀刻机在使用的过程中,半导体板蚀刻液在喷射的过程中容易出现向外溅射的现象,造成蚀刻液的浪费,同时蚀刻液喷射到设备外部,容易对工人造成伤害,同时蚀刻液喷射后回流方式复杂,循环利用难度大,半导体板烘干效率慢的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种半导体生产用蚀刻加工设备,以解决上述背景技术中提出的问题。本实用新型提供的一种半导体生产用蚀刻加工设备,具有蚀刻液回收便捷,同时半导体板蚀刻后烘干快的特点。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种半导体生产用蚀刻加工设备,包括外壳体,所述外壳体两端的表面均安装有驱动电机滚筒,所述驱动电机滚筒的外部套接有输送带,所述驱动电机滚筒的内部安装有储液箱,所述储液箱的正上方安装有喷头和出风板管,所述喷头异于出风板管的一侧安装有防溅板,且所述防溅板固定在外壳体的内表面,所述外壳体的内表面安装有皮带限位轮组,所述皮带限位轮组包括限位滚筒和限压轮,所述限压轮转动连接在限位滚筒的两端,所述限压轮的表面开设有限位槽,所述输送带的外表面一体成型有与限位槽相适配的限位凸条,所述外壳体的内部还安装有烘干组件。
在本实用新型中进一步地,烘干组件包括集风管、第一风机、加热电阻丝和第二风机,所述第一风机和加热电阻丝均固定在集风管的内部,所述外壳体的外表面固定有导气管,且所述导气管的两端均与外壳体连通,所述第二风机通过螺栓固定在导气管的端部。
在本实用新型中进一步地,所述集风管设置有三个,所述导气管设置有两个,两个所述导气管位于三个集风管之间。
在本实用新型中进一步地,所述储液箱和喷头之间依次连接有水泵、导流管和电子压力阀,所述水泵的输入口与储液箱贯通,所述导流管的一端与水泵的输出口连接,所述电子压力阀安装在导流管的另一端,所述喷头和电子压力阀连接。
在本实用新型中进一步地,所述外壳体上端的内表面安装有离心风机,所述离心风机的输出口与出风板管贯通。
在本实用新型中进一步地,所述外壳体的表面转动连接有支撑滚筒,所述支撑滚筒共设置有三个,三个所述支撑滚筒呈三角形分布,所述皮带限位轮组共设置有两个,两个所述皮带限位轮组位于三个支撑滚筒之间。
在本实用新型中进一步地,所述外壳体的外表面安装有控制箱,所述控制箱包括输入面板、信号处理模块、控制模块,输入面板安装在控制箱的表面,信号处理模块和控制模块均安装在控制箱的内部。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造