[实用新型]电极层、电容、GOA电路、阵列基板、显示面板及装置有效
| 申请号： | 201920918616.5 | 申请日： | 2019-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN209858910U | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 程鸿飞;先建波;李会 | 申请（专利权）人： | 北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1345 |
| 代理公司： | 11291 北京同达信恒知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电极层 开口 显示面板 阵列基板 周边电路 电容 放电 本实用新型 放电位置 尖端结构 静电保护 显示装置 静电 半包围 静电荷 积累 包围 | ||
1.一种电极层，其特征在于，包括本体和设置在所述本体上的第一开口，所述第一开口为半包围形状，所述第一开口所包围的本体部分具有尖端结构。
2.如权利要求1所述的电极层，其特征在于，所述尖端结构的宽度小于10μm，所述尖端结构的长度大于3倍的宽度。
3.如权利要求1所述的电极层，其特征在于，所述第一开口为U型开口，所述U型开口所包围的本体部分具有朝向所述U型开口的底部设置的尖端结构。
4.如权利要求3所述的电极层，其特征在于，所述U型开口靠近所述本体的边缘设置，且所述U型开口的出口朝向与所述U型开口所靠近的边的延伸方向一致。
5.如权利要求3或4所述的电极层，其特征在于，所述U型开口的两个顶端呈圆弧形状。
6.如权利要求1-4任一项所述的电极层，其特征在于，所述尖端结构所正对的本体部位设有朝向所述尖端结构凸出的凸起部。
7.如权利要求6所述的电极层，其特征在于，所述尖端结构与所述凸起部之间的间隙为4μm-25μm。
8.一种电容，其特征在于，包括相对设置的上电极和下电极；所述上电极和下电极中，至少一者采用如权利要求1-7任一项所述的电极层。
9.一种GOA电路，其特征在于，包括一个电容和一个TFT电路，所述电容的上电极和下电极分别与所述TFT电路电连接；所述电容的上电极采用如权利要求1-7任一项所述的电极层。
10.如权利要求9所述的GOA电路，其特征在于，所述电容还包括位于所述上电极和所述下电极之间的半导体层，所述半导体层与所述上电极相邻。
11.如权利要求10所述的GOA电路，其特征在于，
所述上电极包括的所述第一开口为U型开口，所述半导体层与所述U型开口的两个顶端相邻的两个部位分别设有第二开口。
12.如权利要求10或11所述的GOA电路，其特征在于，所述TFT电路包括一个TFT，所述电容的下电极与所述TFT的栅极电连接，所述电容的上电极与所述TFT的漏极电连接；
所述电容的下电极与所述TFT的栅极同层制备，所述电容的上电极与所述TFT的漏极同层制备，所述电容的半导体层与所述TFT的有源层同层制备。
13.如权利要求12所述的GOA电路，其特征在于，所述半导体层包括依次层叠的a-si层和n+a-si层，所述n+a-si层与所述上电极相邻，且所述n+a-si层上设有第三开口，所述第三开口在所述下电极上的投影与所述第一开口在所述下电极上的投影重合。
14.如权利要求12所述的GOA电路，其特征在于，所述上电极包括至少一个靠近所述TFT的一侧边缘设置的第一开口。
15.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求9-14任一项所述的GOA电路，还包括与所述GOA电路对应的栅线；所述栅线与所述GOA电路中所述电容的上电极电连接。
16.如权利要求15所述的阵列基板，其特征在于，所述上电极包括至少一个靠近所述栅线的一侧边缘设置的第一开口。
17.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求15或16所述的阵列基板。
18.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求17所述的显示面板。
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