[实用新型]电极层、电容、GOA电路、阵列基板、显示面板及装置

说明书

本实用新型涉及显示技术领域，公开了一种电极层、电容、GOA电路、阵列基板、显示面板及装置。其中，电极层包括本体和设置在所述本体上的第一开口，所述第一开口为半包围形状，所述第一开口所包围的本体部分具有尖端结构。电容、GOA电路、阵列基板、显示面板及显示装置中均包括上述电极层。上述电极层，可以实现将电极层本体积累的静电荷在电极层内部进行放电，从而可以避免电极层积累静电，并防止电极层对周边电路放电造成周边电路损坏。另外，上述电极层内还能够实现对于放电位置和方向的控制，从而进一步提高静电保护效果。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种电极层、电容、GOA电路、阵列基板、显示面板及装置。

背景技术

由静电导致的放电现象往往会导致电器件和电路功能受损，进而会导致电子产品不良或无法使用。目前的电子设备中，电路集成度越来越高，器件密度越来越大，对于静电防护提出了越来越高的挑战。因此，如何做好静电防护，是电子产品领域一直以来的重点研究课题之一。

发明内容

本发明公开了一种电极层、电容、GOA电路、阵列基板、显示面板及装置，目的是提供一种静电防护效果较好的电极层，防止该电极层对其周边电路放电造成损坏。

为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：

一种电极层，包括本体和设置在所述本体上的第一开口，所述第一开口为半包围形状，所述第一开口所包围的本体部分具有尖端结构。

上述电极层的本体被第一开口分成两部分，位于第一开口内的部分和位于第一开口外的部分，位于第一开口内的部分具有尖端结构，当电极层本体上产生静电荷时，位于第一开口内的尖端结构很容易收集静电荷，且在静电荷积累至一定程度的情况下，该尖端结构很容易与其相对的本体部分(第一开口外的部分)之间构成放电通路，从而将静电释放到与其相对的本体部分(第一开口外的部分)上，这样，可以实现将电极层本体积累的静电荷在电极层内部进行放电，从而可以避免电极层积累静电，并防止电极层对周边电路放电造成周边电路损坏。另外，第一开口内形成的尖端结构可以使电极层本体积累的静电向特定位置和方向放电，从而能够实现对于放电位置和方向的控制，从而可以进一步提高静电保护效果，避免对周边电路造成损坏。

可选的，所述尖端结构的宽度小于10μm，所述尖端结构的长度大于3倍的宽度。

可选的，所述第一开口为U型开口，所述U型开口所包围的本体部分具有朝向所述U型开口的底部设置的尖端结构。

可选的，所述U型开口靠近所述本体的边缘设置，且所述U型开口的出口朝向与所述U型开口所靠近的边的延伸方向一致。

可选的，所述U型开口的两个顶端呈圆弧形状。

可选的，所述尖端结构所正对的本体部位设有朝向所述尖端结构凸出的凸起部。

可选的，所述尖端结构与所述凸起部之间的间隙为4μm-25μm。

一种电容，包括相对设置的上电极和下电极；所述上电极和下电极中，至少一者采用如上述任一实施例所述的电极层。

一种GOA电路，包括一个电容和一个TFT电路，所述电容的上电极和下电极分别与所述TFT电路电连接；所述电容的上电极采用如上述任一实施例所述的电极层。

可选的，所述电容还包括位于所述上电极和所述下电极之间的半导体层，所述半导体层与所述上电极相邻。

可选的，所述上电极包括的所述第一开口为U型开口，所述半导体层与所述U型开口的两个顶端相邻的两个部位分别设有第二开口。

可选的，所述TFT电路包括一个TFT，所述电容的下电极与所述TFT的栅极电连接，所述电容的上电极与所述TFT的漏极电连接；