[实用新型]能消除厄尔利现象的低压差线性稳压器

说明书

本实用新型涉及一种低压差性稳压器，尤其是一种能消除厄尔利现象的低压差线性稳压器，其包括低压差线性稳压器本体；还包括与低压差线性稳压器本体适配连接的负载电流产生电路；负载电流产生电路在检测到低压差线性稳压器本体产生厄尔利现象时，负载电流产生电路能产生与低压差线性稳压器本体适配的负载电流，通过所述负载电流与低压差线性稳压器本体配合，能消除所述低压差线性稳压器本体的厄尔利现象；当负载电流产生电路检测得到低压差线性稳压器本体的厄尔利现象消除时，负载电流产生电路停止负载电流的输出。本实用新型能有效消除厄尔利现象，且能满足低功耗的需求，安全可靠。

技术领域

本实用新型涉及一种低压差线性稳压器，尤其是一种能消除厄尔利现象的低压差线性稳压器，属于低压侧线性稳压器的技术领域。

背景技术

如图1所示，为现有低压差线性稳压器(LDO)的电路原理图，模基准电源能产生基准电压Vref，M1为PMOS功率管，电阻R1、电阻R2为分压电阻，CAP为负载电容，AMP为LDO的运算放大器，Vout为LDO的输出；VDD为LDO的电源，C1为补偿电容。

低压差线性稳压器的厄尔利现象，具体是指，无负载时，当温度到达一定程度后，低压差线性稳压器的Vout会随温度的升高而持续变大，但是当有一定的负载后，低压差线性稳压器Vout的上升会消失。对于低压差线性稳压器而言，当Vout会随温度的升高而持续变大的时候，它已经达不到稳压的作用了。

具体地，厄尔利现象具体来说即是没有大电流流过PMOS管M1时，温度上升会引起PMOS管M1变化；从LDO整体角度看，即是低压差线性稳压器的Vout会随温度的升高而持续变大。当低压差线性稳压器的Vout变大时，反馈电压Vfb增加，通过运算放大器AMP可以使输出电压变高，但是运算放大器AMP输出电压的变高程度不足以改变温度对PMOS管M1的影响，所以还会使得压差线性稳压器的Vout持续增加。

目前，对于低压差线性稳压器中厄尔利现象的消除主要采用下述方式，具体地：

1)、增大PMOS管M1的L(长度)；这样是虽然能有效的抑制厄尔利现象的发生，但是会另外的一些问题。比如：L增大，在相同W(宽度)的情况下，驱动能力会明显减弱；L增大，PMOS管M1的寄生电容也会增大，这样也会影响LDO的瞬态响应速度。

2)、减小电阻R1、电阻R2的阻值，减小电阻R1、电阻R2阻值，增加流过PMOS管M1的电流，当温度上升后，也能消除厄尔利现象的发生。一般情况下，为了降低芯片整体的功耗，电阻R1和电阻R2的阻值都是比较大的，减小电阻R1和电阻R2的阻值，势必增加了整体芯片的功耗。

因此，对于低压差线性稳压器，现有的技术手段存在无法有效消除厄尔利现象，或无法在消除厄尔利现象的情况下满足对于低功耗的要求。

发明内容

本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种能消除厄尔利现象的低压差线性稳压器，其能有效消除厄尔利现象，且能满足低功耗的需求，安全可靠。

按照本实用新型提供的技术方案，所述能消除厄尔利现象的低压差线性稳压器，包括低压差线性稳压器本体；还包括与低压差线性稳压器本体适配连接的负载电流产生电路；负载电流产生电路在检测到低压差线性稳压器本体产生厄尔利现象时，负载电流产生电路能产生与低压差线性稳压器本体适配的负载电流，通过所述负载电流与低压差线性稳压器本体配合，能消除所述低压差线性稳压器本体的厄尔利现象；当负载电流产生电路检测得到低压差线性稳压器本体的厄尔利现象消除时，负载电流产生电路停止负载电流的输出。