[实用新型]太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

硅衬底；

隧穿层，形成于所述硅衬底的一侧表面；

掺杂多晶硅层，形成于所述隧穿层远离所述硅衬底的一侧表面，并与所述硅衬底构成异质结；

以及栅线电极；

所述栅线电极包括形成于所述掺杂多晶硅层上的第一栅线电极、以及形成于所述掺杂多晶硅层或所述硅衬底的上第二栅线电极；

所述栅线电极包括：

第一金属层，直接形成于所述掺杂多晶硅层或所述硅衬底上；所述第一金属层含有镍、钴、钛、钨中的至少一种；

以及第二金属层，形成于所述第一金属层上的第二金属层；

所述第一金属层与所述掺杂多晶硅层或所述硅衬底在界面处形成金属硅化物；所述金属硅化物为硅化镍、硅化钴、硅化钛或硅化钨。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二金属层为复合层，所述第二金属层由两层或者三层不同金属形成的堆栈结构。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述隧穿层为掺杂介电层；所述掺杂介电层内的掺杂元素为Ⅲ族和/或Ⅴ族元素。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一金属层的厚度小于2微米。

5.根据权利要求1-4任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂多晶硅层包括多个n型掺杂多晶硅区域和多个p型掺杂多晶硅区域，所述n型掺杂多晶硅区域和相邻所述p型掺杂多晶硅区域之间电隔离；所述第一栅线电极对应所述n型掺杂多晶硅区域；所述第二栅线电极对应所述p型掺杂多晶硅区域。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述n型掺杂多晶硅区域和相邻所述p型掺杂多晶硅区域之间通过沟槽或本征多晶硅电隔离。

7.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂多晶硅层背向所述硅衬底的一侧形成有第一介电层，所述第一介电层上与所述n型掺杂多晶硅区域和所述p型掺杂多晶硅区域相对的位置上设有第一开膜区域以露出所述掺杂多晶硅层，所述第一金属层形成于所述第一开膜区域内。

8.根据权利要求1-4任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂多晶硅层为n型掺杂多晶硅层，所述硅衬底为p型单晶硅衬底；所述第二栅线电极形成于所述硅衬底上。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，在所述硅衬底对应所述第二栅线电极的区域为p++区域。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，在所述硅衬底靠近所述第二栅线电极的一侧表面，且除去所述p++区域之外的区域设为p+区。