[实用新型]太阳能电池

说明书

本申请公开了一种太阳能电池，包括硅衬底；隧穿层，形成于硅衬底的一侧表面；掺杂多晶硅层，形成于隧穿层远离硅衬底的一侧表面，并与硅衬底构成异质结；以及栅线电极；栅线电极包括形成于掺杂多晶硅层上的第一栅线电极、以及形成于掺杂多晶硅层或硅衬底的上第二栅线电极；栅线电极包括：第一金属层，直接形成于掺杂多晶硅层或硅衬底上；以及第二金属层，形成于第一金属层上的第二金属层；第一金属层与掺杂多晶硅层或硅衬底在界面处形成金属硅化物；金属硅化物为硅化镍、硅化钴、硅化钛或硅化钨。本申请降低了太阳能电池的生产成本，提高太阳能电池的光电转换效率。

技术领域

本实用新型一般涉及光伏领域，具体涉及光伏发电领域，尤其涉及一种太阳能电池。

背景技术

晶体硅太阳能电池由于其能量转换效率高是目前市场占有率最高的太阳能电池。

现有的晶体硅太阳能电池光电转换率不高，并且生产成本难以降低。

实用新型内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种光电转换率高、生产成本低的太阳能电池。

第一方面，本实用新型的太阳能电池，包括：

硅衬底；

隧穿层，形成于所述硅衬底的一侧表面；

掺杂多晶硅层，形成于所述隧穿层远离所述硅衬底的一侧表面，并与所述硅衬底构成异质结；

以及栅线电极；

所述栅线电极包括形成于所述掺杂多晶硅层上的第一栅线电极、以及形成于所述掺杂多晶硅层或所述硅衬底的上第二栅线电极；

所述栅线电极包括：

第一金属层，直接形成于所述掺杂多晶硅层或所述硅衬底上；所述第一金属层含有镍、钴、钛、钨中的至少一种；

以及第二金属层，形成于所述第一金属层上的第二金属层；

所述第一金属层与所述掺杂多晶硅层或所述硅衬底在界面处形成金属硅化物；所述金属硅化物为硅化镍、硅化钴、硅化钛或硅化钨。

可选的，所述第二金属层为铜、钴、钨、锡或锌中的任一种或者多种组合。

可选的，所述第二金属层为复合层，所述第二金属层由两层或者三层不同金属形成的堆栈结构。

可选的，所述隧穿层为掺杂介电层；所述掺杂介电层内的掺杂元素为Ⅲ族和/或Ⅴ族元素。

可选的，所述第一金属层的厚度小于2微米。

可选的，所述掺杂多晶硅层包括多个n型掺杂多晶硅区域和多个p型掺杂多晶硅区域，所述n型掺杂多晶硅区域和相邻所述p型掺杂多晶硅区域之间电隔离；所述第一栅线电极对应所述n型掺杂多晶硅区域；所述第二栅线电极对应所述p型掺杂多晶硅区域。

可选的，所述n型掺杂多晶硅区域和相邻所述p型掺杂多晶硅区域之间通过沟槽或本征多晶硅电隔离。

可选的，所述掺杂多晶硅层背向所述硅衬底的一侧形成有第一介电层，所述第一介电层上与所述n型掺杂多晶硅区域和所述p型掺杂多晶硅区域相对的位置上设有第一开膜区域以露出所述掺杂多晶硅层，所述第一金属层形成于所述第一开膜区域内。

可选的，所述掺杂多晶硅层为n型掺杂多晶硅层，所述硅衬底为p型单晶硅衬底；所述第二栅线电极形成于所述硅衬底上。

可选的，在所述硅衬底对应所述第二栅线电极的区域为p++区域。

可选的，在所述硅衬底靠近所述第二栅线电极的一侧表面，且除去所述p++区域之外的区域设为p+区。