[实用新型]应用于高频小体积温度补偿晶体振荡器的表贴厚膜电路

权利要求书

1.应用于高频小体积温度补偿晶体振荡器的表贴厚膜电路，其特征在于：包括陶瓷基座(10)和位于陶瓷基座(10)顶部由金属制成的外壳(1)，所述陶瓷基座(10)底部为底面层(9)，陶瓷基座(10)内表面为第一放置层(8),陶瓷基座(10)内壁有横向突出的第二放置层(3)；所述第一放置层(8)上有第一粘接面(71)和第二粘接面(72)，第一粘接面(71)上有第一芯片(5)，第二粘接面(72)上有第二芯片(6)，第一芯片(5)和第二芯片(6)的引出端均通过金丝(4)与陶瓷基座(10)连接，第二放置层(3)与外部输出端口导通。

2.根据权利要求1所述的应用于高频小体积温度补偿晶体振荡器的表贴厚膜电路，其特征在于：所述底面层(9)为矩形，底面层(9)底面边缘的两个长边共有六个外接端口，分别为第一端口(91)、第二端口(92)、第三端口(93)、第四端口(94)、第五端口(95)、第六端口(96)，每个长边上间隔布置有三个外接端口。

3.根据权利要求2所述的应用于高频小体积温度补偿晶体振荡器的表贴厚膜电路，其特征在于：所述第二端口(92)位于第一端口(91)和第三端口(93)中间，第五端口(95)位于第四端口(94)和第六端口(96)中间。

4.根据权利要求3所述的应用于高频小体积温度补偿晶体振荡器的表贴厚膜电路，其特征在于：所述第一放置层(8)的中部有导电图形，导电图形包括第一区域(81)、第二区域(82)、第三区域(83)、第四区域(84)、第五区域(85)、第六区域(86)、第七区域(87)、第八区域(88)；所述第三区域(83)与第一端口(91)相连，第四区域(84)与第二端口(92)相连，第八区域(88)与第三端口(93)相连，第五区域(85)与第四端口(94)相连，第六区域(86)与第五端口(95)相连，第七区域(87)与第六端口(96)相连。

5.根据权利要求4所述的应用于高频小体积温度补偿晶体振荡器的表贴厚膜电路，其特征在于：当第一芯片(5)上的第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘和第四焊盘通过金丝(4)与第一放置层(8)的第七区域(87)相连时，厚膜电路可实现一倍频；

当第一芯片(5)上的第一焊盘、第三焊盘和第四焊盘通过金丝(4)与第一放置层(8)的第七区域(87)相连，第一芯片(5)上的第二焊盘通过金丝(4)与第一放置层(8)的第八区域(88)相连时，厚膜电路可实现二倍频；

当第一芯片(5)上的第一焊盘、第二焊盘和第三焊盘通过金丝(4)与第一放置层(8)的第七区域(87)相连，第一芯片(5)上的第四焊盘通过金丝(4)与第一放置层(8)的第八区域(88)相连时，厚膜电路可实现四倍频；

当第一芯片(5)上的第五焊盘和第六焊盘通过金丝(4)与第一放置层(8)的第八区域(88)相连时，厚膜电路输出波形为高驱动CMOS；

当第一芯片(5)上的第五焊盘通过金丝(4)与第一放置层(8)的第八区域(88)相连，第一芯片(5)上的第六焊盘通过金丝(4)与第一放置层(8)的第七区域(87)相连时，厚膜电路输出波形为CMOS；

当第一芯片(5)上的第五焊盘通过金丝(4)与第一放置层(8)的第七区域(87)相连，第一芯片(5)上的第六焊盘通过金丝(4)与第一放置层(8)第八区域(88)相连时，厚膜电路输出波形为LVDS；

当第一芯片(5)上的第五焊盘和第六焊盘通过金丝(4)与第一放置层(8)的第七区域(87)相连时，厚膜电路输出波形为PECL。

6.根据权利要求5所述的应用于高频小体积温度补偿晶体振荡器的表贴厚膜电路，其特征在于：所述陶瓷基座(10)与外壳(1)连接处为金属密封层(2)。

7.根据权利要求6所述的应用于高频小体积温度补偿晶体振荡器的表贴厚膜电路，其特征在于：所述陶瓷基座(10)和外壳(1)形成密封空腔，密封空腔内填充有氦气层。