[实用新型]一种料片倒料装置有效
申请号: | 201920984270.9 | 申请日: | 2019-06-27 |
公开(公告)号: | CN210073797U | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 郑石磊;郑振军;吴建国;许大亮 | 申请(专利权)人: | 江苏和睿半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67 |
代理公司: | 11316 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 滑春生 |
地址: | 226500 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 料盒 清洗 料槽 料片 前支撑架 倒料架 本实用新型 一端设置 上下料 增高 半导体配件 等离子清洗 倒料装置 方便操作 后支撑架 距离增加 螺钉连接 清洗空间 清洗效果 外壁设置 分隔板 两端部 倒料 变形 | ||
本实用新型公开了一种料片倒料装置,它涉及半导体配件等离子清洗技术领域。它包括倒料架和清洗料盒;所述倒料架具有前支撑架、后支撑架以及分隔板,所述前支撑架的半侧安装有两个增高条,所述增高条与前支撑架之间通过螺钉连接固定;所述清洗料盒具有设在两端部的料槽和外壁设置的清洗空隙,所述清洗料盒一端设置的料槽的数量为放置料盒一端设置的料槽数量的一半,清洗料盒的上下料槽之间的空隙高度为放置料盒的上下料槽之间空隙高度的双倍。本实用新型的优点在于:料槽之间的空隙加大一倍,料片与料片之间的距离增加一倍,清洗空间更充分,改善清洗效果;增加倒料架,方便操作,减少对料盒时间,提高倒料速度,避免料盒对不准造成料片变形。
技术领域
本实用新型涉及半导体配件等离子清洗技术领域,具体涉及一种料片倒料装置。
背景技术
半导体制造工艺上使用的等离子清洗,是通过等离子体放电对引线框架或PCB基板等半导体配件进行清洗。半导体配件是放置在料盒中进行清洗的,等离子清洗前放置半导体料片的料盒外周是封闭的,在进行等离子清洗时,需要工作人员先将放置料片的料盒进行更换,更换成具有清洗空隙的料盒。
现有技术中,清洗的料盒的料槽是较紧密的,每个料盒放置的料片数量偏多,但在清洗时,料片较紧密不利于清洗的进行,需要更换成料槽间隙更大的料盒,清洗效果才更好,并且,现有技术中,是通过手动对接进行料片的倒料,容易对不准,对料盒时间较多,倒料速度慢,料盒对不准容易造成料片变形。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种料片倒料装置,能够解决现有技术中存在的料盒的料槽较紧密不利于清洗、对料盒时间久效率低、容易造成料片变形等问题。
为解决上述技术问题,本实用新型的技术方案为:它包括倒料架和清洗料盒;所述倒料架具有前支撑架、后支撑架以及设在前支撑架和后支撑架之间且与前支撑架、后支撑架垂直的分隔板,所述前支撑架的半侧安装有两个增高条,所述增高条与前支撑架之间通过螺钉连接固定,所述螺钉整体设在增高条上设置的螺孔内部;所述清洗料盒具有设在两端部的料槽和外壁设置的清洗空隙,所述料槽和清洗空隙设在同一条水平线上,所述清洗料盒一端设置的料槽的数量为放置料盒一端设置的料槽数量的一半,清洗料盒的上下料槽之间的空隙高度为放置料盒的上下料槽之间空隙高度的双倍,所述增高条的高度为放置料盒的相邻两料槽之间的空隙高度与单个料槽的高度之和。
进一步的,所述清洗料盒外壁中间设置有连接架,所述连接架的内侧设有支撑料片的料槽。
进一步的,所述清洗料盒的侧边为空,清洗料盒的侧边拆卸连接有封板,所述封板的侧边连接有插板,所述清洗料盒的外壁设有供插板上下移动的插槽。
采用上述结构后,本实用新型的优点在于:
1、清洗料盒的料槽数量减少一倍,使得料槽之间的空隙加大一倍,料片与料片之间的距离增加一倍,清洗空间更充分,改善清洗效果;
2、设置倒料架,倒料架上的后支撑架为水平设置,放置料盒和清洗料盒的高度相同,便于单数料槽中的料片的倒出,倒料架上的前支撑架上设置高低差,使得放置料盒和清洗料盒的高度不同,便于双数料槽中的料片的倒出;
3、增加倒料架,方便操作,减少对料盒时间,提高倒料速度,避免料盒对不准造成料片变形。
附图说明
图1为本实用新型的倒料架的左视图;
图2为本实用新型的倒料架的主视图;
图3为本实用新型的倒料架的俯视图;
图4为本实用新型的放置料盒的结构示意图;
图5为本实用新型的清洗料盒的结构示意图;
图6为本实用新型的放置料盒的端部料槽的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造