[实用新型]薄膜晶体管阵列和阵列基板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列，其特征在于，包括第一单元结构和第二单元结构；

所述第一单元结构包括至少两个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括多个相互连接的第一源极单元和分别与所述第一源极单元相对设置的多个第一漏极单元，每个第一薄膜晶体管的第一源极单元与相邻的第一薄膜晶体管的第一漏极单元相互连接，相邻两个第一薄膜晶体管的所述第一源极单元的开口方向相互平行；

所述第二单元结构包括至少两个第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括多个相互连接的第二源极单元和分别与所述第二源极单元相对设置的多个第二漏极单元，每个第二薄膜晶体管的第二源极单元与相邻的第二薄膜晶体管的第二漏极单元相互连接，相邻两个第二薄膜晶体管的所述第二源极单元的开口方向相互垂直。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，在同一薄膜晶体管中，所述第一漏极单元和所述第二漏极单元分别延伸至对应的所述第一源极单元和所述第二源极单元的开口内。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，在同一薄膜晶体管中，所述第一漏极单元和所述第一源极单元之间形成第一沟道区，所述第二漏极单元和所述第二源极单元之间形成第二沟道区，所述第一沟道区和所述第二沟道区分别呈U形。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，所述第一源极单元的结构呈U形，和/或所述第二源极单元的结构呈U形。

5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，所述第一漏极单元的结构呈T形，和/或所述第二漏极单元的结构呈T形。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，在同一薄膜晶体管中，相邻两个第一源极单元的开口方向相同，相邻的两个第二源极单元的开口方向相同。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管分别还包括第一半导体层和第二半导体层；所述第一源极单元和所述第一漏极单元分别设置在所述第一半导体层上，所述第二源极单元和所述第二漏极单元分别设置在所述第二半导体层上。

8.一种薄膜晶体管阵列，其特征在于，包括第一单元结构和第二单元结构；

所述第一单元结构包括至少两个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括多个相互连接的第一源极单元和分别与所述第一源极单元相对设置的多个第一漏极单元，每个第一薄膜晶体管的第一源极单元与相邻的第一薄膜晶体管的第一漏极单元相互连接，相邻两个第一薄膜晶体管的所述第一源极单元的开口方向相互平行；

所述第二单元结构包括至少两个第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括多个相互连接的第二源极单元和分别与所述第二源极单元相对设置的多个第二漏极单元，每个第二薄膜晶体管的第二源极单元与相邻的第二薄膜晶体管的第二漏极单元相互连接，相邻两个第二薄膜晶体管的所述第二源极单元的开口方向相互垂直；

其中，在同一薄膜晶体管中，所述第一漏极单元和所述第二漏极单元分别延伸至对应的所述第一源极单元和所述第二源极单元的开口内；在同一薄膜晶体管中，所述第一漏极单元和所述第一源极单元之间形成第一沟道区，所述第二漏极单元和所述第二源极单元之间形成第二沟道区，所述第一沟道区和所述第二沟道区分别呈U形；在同一薄膜晶体管中，相邻两个第一源极单元的开口方向相同，相邻的两个第二源极单元的开口方向相同。

9.一种阵列基板，其特征在于，包括显示区和非显示区，所述非显示区域包括栅极驱动单元，所述栅极驱动单元包括如权利要求1-8任一项所述的薄膜晶体管阵列。

10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述显示区包括开关阵列，所述开关阵列包括多条相互平行的扫描线，所述栅极驱动单元与所述扫描线一一对应连接。