[实用新型]薄膜晶体管阵列和阵列基板

说明书

本申请涉及一种薄膜晶体管阵列和阵列基板。该薄膜晶体管阵列包括排列组合分布在面板上第一单元结构和第二单元结构，第一单元结构包括至少两个第一薄膜晶体管，第二单元结构包括至少两个第二薄膜晶体管，且相邻两个第一薄膜晶体管的第一源极单元的开口方向相互平行，相邻两个第二薄膜晶体管的第二源极单元的开口方向相互垂直。因而第一单元结构和第二单元结构的阵列组合在行和列上的设置更加紧密，从而提高占用面积利用率，使得薄膜晶体管阵列整体的占用面积更小更窄。从而使得薄膜晶体管阵列所属的非显示区在阵列基板上的占用面积更窄，从而提高产能并降低产品成本，使阵列基板更适合制作窄边框的显示产品。

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管阵列和阵列基板。

背景技术

随着显示技术的不断发展，人们对显示装置的设计性、艺术性以及视觉体验性方面的要求也越来越高。比如当前盛行的窄边框显示产品，将传统的显示面板的边框进一步缩窄以进一步扩大显示区域的面积，进而达到更高级的视觉体验和产品设计美感。

GOA(Gate Driver on Array，阵列基板行驱动)技术是利用薄膜晶体管阵列制程将栅极扫描驱动电路制作在TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列基板上，以实现逐行扫描的驱动方式，具有降低生产成本和实现面板窄边框设计的优点，为多种显示器所使用。然而，示例性的GOA驱动电路设计还不够完善，窄边框设计还有待进一步提高以实现更窄的边框。

实用新型内容

基于此，有必要提供一种能够实现更窄边框的薄膜晶体管阵列和阵列基板。

为了实现本实用新型的目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种薄膜晶体管阵列，包括第一单元结构和第二单元结构；

所述第一单元结构包括至少两个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括多个相互连接的第一源极单元和分别与所述第一源极单元相对设置的多个第一漏极单元，每个第一薄膜晶体管的第一源极单元与相邻的第一薄膜晶体管的第一漏极单元相互连接，相邻两个第一薄膜晶体管的所述第一源极单元的开口方向相互平行；

所述第二单元结构包括至少两个第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括多个相互连接的第二源极单元和分别与所述第二源极单元相对设置的多个第二漏极单元，每个第二薄膜晶体管的第二源极单元与相邻的第二薄膜晶体管的第二漏极单元相互连接，相邻两个第二薄膜晶体管的所述第二源极单元的开口方向相互垂直。

在其中一实施例中，在同一薄膜晶体管中，所述第一漏极单元和所述第二漏极单元分别延伸至对应的所述第一源极单元和所述第二源极单元的开口内。

在其中一实施例中，在同一薄膜晶体管中，所述第一漏极单元和所述第一源极单元之间形成第一沟道区，所述第二漏极单元和所述第二源极单元之间形成第二沟道区，所述第一沟道区和所述第二沟道区分别呈U形。

在其中一实施例中，所述第一源极单元的结构呈U形，和/或所述第二源极单元的结构呈U形。

在其中一实施例中，所述第一漏极单元的结构呈T形，和/或所述第二漏极单元的结构呈T形。

在其中一实施例中，在同一薄膜晶体管中，相邻两个第一源极单元的开口方向相同，相邻的两个第二源极单元的开口方向相同。

在其中一实施例中，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管分别还包括第一半导体层和第二半导体层；所述第一源极单元和所述第一漏极单元分别设置在所述第一半导体层上，所述第二源极单元和所述第二漏极单元分别设置在所述第二半导体层上。

一种薄膜晶体管阵列，包括第一单元结构和第二单元结构；