[实用新型]指纹芯片和电子设备

说明书

一种指纹芯片和电子设备，具有更薄的厚度。该指纹芯片包括：基底，所述基底的厚度大于或等于30微米且小于80微米，所述基底上形成有像素阵列，所述像素阵列用于检测入射至手指并经所述手指反射或散射的光信号；光路层，设置在所述基底上方，用于将所述光信号传输至所述像素阵列。

本申请要求于2019年6月5日提交中国专利局、申请号为 PCT/CN2019/090171、名称为“光学指纹装置和电子设备”的PCT申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本申请实施例涉及指纹识别领域，并且更具体地，涉及一种指纹芯片和电子设备。

背景技术

伴随着科学技术的进步以及用户需求的逐步提升，电子设备的集成度越来越高。为了适应这种发展趋势，电子设备当中使用的各类元件、器件也面临着向集成度更高、体积更小、标准化程度更高的方向转变。

光学指纹芯片作为具有光学指纹识别功能的电子设备的重要组成部分，受其封装方式的影响，其厚度受到了很大的限制，从而很难减小其体积。因此，如何减小光学指纹芯片的厚度，给电子设备厂商带来更大的整机结构设计空间，成为一个亟待解决的问题。

实用新型内容

本申请实施例提供一种指纹芯片和电子设备，能够实现超薄指纹芯片。

第一方面，提供了一种指纹芯片，包括：基底，所述基底的厚度大或等于30微米且小于80微米，所述基底上形成有像素阵列，所述像素阵列用于检测入射至手指并经所述手指反射或散射的光信号；光路层，设置在所述基底上方，用于将所述光信号传输至所述像素阵列。

在一种可能的实现方式中，所述基底还包括导电通孔结构，所述导电通孔结构用于电连接所述像素阵列和所述指纹芯片的线路板。

在一种可能的实现方式中，所述导电通孔结构由TSV工艺形成。

在一种可能的实现方式中，所述导电通孔结构包括填充有金属材料的通孔，所述金属材料与所述基底的材料之间由绝缘侧壁电隔离。

在一种可能的实现方式中，所述通孔为垂直通孔或者倾斜通孔。

在一种可能的实现方式中，所述通孔的横截面为矩形、圆形或者梯形。

在一种可能的实现方式中，所述导电通孔结构通过设置在所述基底下表面的电连接层，与所述线路板之间进行电连接。

在一种可能的实现方式中，所述电连接层为金属层或者ACF层。

在一种可能的实现方式中，所述光路层包括微透镜阵列。

在一种可能的实现方式中，所述微透镜阵列的表面镀有保护膜层。

在一种可能的实现方式中，所述保护膜层为绝缘的无机材料层。

在一种可能的实现方式中，所述无机材料为硅氧化物或者硅氮化物。

在一种可能的实现方式中，所述保护膜层的厚度位于0.05微米至1微米之间。

在一种可能的实现方式中，所述光路层还包括至少一个挡光层，所述至少一个挡光层设置在所述微透镜阵列和所述像素阵列之间，其中每个挡光层上设置有与多个微透镜分别对应的多个开孔，经每个微透镜会聚后的所述光信号穿过不同挡光层内与所述微透镜对应的开孔，到达所述像素阵列。

在一种可能的实现方式中，不同挡光层内与相同的微透镜对应的开孔由上至下孔径依次减小。

在一种可能的实现方式中，每个微透镜对应于一个像素，其中，经所述微透镜会聚后的所述光信号穿过不同挡光层内与所述微透镜对应的开孔，到达与所述微透镜对应的像素。