[实用新型]N形微电子微连接深腔焊劈刀有效
| 申请号： | 201921006039.9 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN210052714U | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 杨强 | 申请（专利权）人： | 成都精蓉创科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 51242 成都环泰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 李斌;黄青 |
| 地址： | 610000 四川省成都市武*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 劈刀 穿丝孔 过渡孔 本实用新型 焊接端面 焊接端 缺角 柱形 焊接 所在平面 中心轴线 棱台状 球缺形 台阶状 微连接 圆柱状 半环 穿丝 分隔 金丝 内开 深腔 顺滑 通槽 同轴 微电子 侧面 配合 | ||
1.一种N形微电子微连接深腔焊劈刀，包括呈圆柱状的劈刀主体，该劈刀主体的一端为呈棱台状的焊接端，其特征在于：所述焊接端的端面上沿该劈刀主体的长度方向开设有台阶状的缺角，剩余所述焊接端的端面为焊接端面，焊接端面上设有球缺形通槽，该球缺形通槽的长度方向与所述缺角的角边长度方向一致，所述劈刀主体的另一端面上沿该劈刀主体的长度方向朝劈刀主体内开设有呈柱形的第一穿丝孔，所述缺角与焊接端面未相邻的第一侧面上开设有与所述第一穿丝孔同轴且呈柱形的第二穿丝孔，所述第二穿丝孔的直径和深度分别小于第一穿丝孔的直径和深度；
所述劈刀主体内还设有连接第一穿丝孔和第二穿丝孔的过渡孔，所述过渡孔所围成的孔壁以中心轴线所在平面分隔成两个高低错位、纵截面呈直角梯形的半环壁，其中一个半环壁与第二穿丝孔相邻的一边沿第二穿丝孔长度方向延伸至第二穿丝孔的孔壁上，另一个半环壁与第一穿丝孔相邻的一边沿第一穿丝孔长度方向延伸至第一穿丝孔的孔壁上，所述半环壁的倾斜角度为a,a的取值范围为10°<a<45°。
2.根据权利要求1所述的N形微电子微连接深腔焊劈刀，其特征在于：所述缺角与焊接端面相邻的侧面为第二侧面，位于所述球缺形通槽和缺角之间的焊接端面上设有“V”形通槽，该“V”形通槽的长度方向与所述缺角的角边长度方向一致，所述第二侧面上倾斜设有延伸至“V”形槽其中一侧面的第三穿丝孔，该第三穿丝孔位于“V”形槽内的一端的高度低于球缺形通槽的高度。
3.根据权利要求2所述的N形微电子微连接深腔焊劈刀，其特征在于：所述第三穿丝孔位于第二侧面上的一端沿第三穿丝孔的轴心线方向开设有喇叭口。
4.根据权利要求2所述的N形微电子微连接深腔焊劈刀，其特征在于：所述第三穿丝孔的中心轴线与所述第二侧面的夹角为45°。
5.根据权利要求2所述的N形微电子微连接深腔焊劈刀，其特征在于：所述第一穿丝孔与第二穿丝孔的直径比为3：1，第二穿丝孔与第三穿丝孔的直径比为3：1。
6.根据权利要求1所述的N形微电子微连接深腔焊劈刀，其特征在于：第一穿丝孔深径比为38：1。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
