[实用新型]N形微电子微连接深腔焊劈刀有效
申请号: | 201921006039.9 | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN210052714U | 公开(公告)日: | 2020-02-11 |
发明(设计)人: | 杨强 | 申请(专利权)人: | 成都精蓉创科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 51242 成都环泰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 李斌;黄青 |
地址: | 610000 四川省成都市武*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 劈刀 穿丝孔 过渡孔 本实用新型 焊接端面 焊接端 缺角 柱形 焊接 所在平面 中心轴线 棱台状 球缺形 台阶状 微连接 圆柱状 半环 穿丝 分隔 金丝 内开 深腔 顺滑 通槽 同轴 微电子 侧面 配合 | ||
本实用新型公开了一种N形微电子微连接深腔焊劈刀,包括呈圆柱状的劈刀主体,该劈刀主体的一端为呈棱台状的焊接端,焊接端的端面上沿该劈刀主体的长度方向开设有台阶状的缺角,剩余所述焊接端的端面为焊接端面,焊接端面上设有球缺形通槽,所述劈刀主体的另一端面上沿该劈刀主体的长度方向朝劈刀主体内开设有呈柱形的第一穿丝孔,缺角与焊接端面未相邻的第一侧面上开设有与所述第一穿丝孔同轴且呈柱形的第二穿丝孔,劈刀主体内还设有连接第一穿丝孔和第二穿丝孔的过渡孔,过渡孔以中心轴线所在平面分隔成两个半环壁,本实用新型结构简单,设计合理,特别是过渡孔与第一穿丝孔和第二穿丝孔的配合使金丝能在两孔之间顺滑过渡,穿丝效果更好。
技术领域
本发明涉及微电子领域,特别是一种N形微电子微连接深腔焊劈刀及其加工方法。
背景技术
用于微电子的深腔焊劈刀,采用质轻且柔的金丝作为焊接材料,其直径一般在18-25μm,常用用25um.通常人工要借助显微镜的帮助才能进行穿丝作业,劈刀上一般只设一个直通的穿丝孔,而孔的深径比一般较大,所以孔的加工要求很高,现有的深腔焊劈刀中,穿丝孔内加工时很难避免毛刺,而毛刺则会影响穿丝进程,另外,现有劈刀外形结构没有对金丝的限位,使金丝穿出穿丝孔后难以稳固的安装在丝焊机上。
实用新型内容
为解决现有技术中存在的问题,本实用新型提供了一种N形微电子微连接深腔焊劈刀。
本实用新型采用的技术方案是:
一种N形微电子微连接深腔焊劈刀,包括呈圆柱状的劈刀主体,该劈刀主体的一端为呈棱台状的焊接端,所述焊接端的端面上沿该劈刀主体的长度方向开设有台阶状的缺角,剩余所述焊接端的端面为焊接端面,焊接端面上设有球缺形通槽,该球缺形通槽的长度方向与所述缺角的角边长度方向一致,所述劈刀主体的另一端面上沿该劈刀主体的长度方向朝劈刀主体内开设有呈柱形的第一穿丝孔,所述缺角与焊接端面未相邻的第一侧面上开设有与所述第一穿丝孔同轴且呈柱形的第二穿丝孔,所述第二穿丝孔的直径和深度分别小于第一穿丝孔的直径和深度;
所述劈刀主体内还设有连接第一穿丝孔和第二穿丝孔的过渡孔,所述过渡孔所围成的孔壁以中心轴线所在平面分隔成两个高低错位、纵截面呈直角梯形的半环壁,其中一个半环壁与第二穿丝孔相邻的一边沿第二穿丝孔长度方向延伸至第二穿丝孔的孔壁上,另一个半环壁与第一穿丝孔相邻的一边沿第一穿丝孔长度方向延伸至第一穿丝孔的孔壁上,所述半环壁的倾斜角度为a,a的取值范围为10°<a<45°。
焊接用金丝是人工在显微镜下边抖动边向劈刀内推送而穿设的,上述技术方案中,劈刀内依次设置三种不同孔径和深度的孔,第一穿丝孔是所有空中深径比最大的,第一穿丝孔的内壁上和在劈刀内部的边缘处难免形成毛刺,部分毛刺还会进给到过渡孔内,为尽量避免毛刺对穿丝的影响,故第一穿丝孔的孔径较大,以此增加金丝在其内部的抖动空间,尽量避免毛刺;
过渡孔的孔壁相对第一、第二穿丝孔是倾斜设置的,金丝在穿设的过程中很大概率会碰到过渡孔的孔壁上,在实际孔内加工中,绕轴线规则旋转加工成的孔,若壁上有部分毛刺,则壁上一圈都会形成毛刺,故上述技术方案中,过渡孔设计成高低错位的错位的形式,金丝若抵到较低的半环壁上有毛刺便不能继续前进,仅需轻微抖动金丝到同水平的第一穿丝孔的孔壁上便能顺滑向前穿设,达到更好的穿丝效果;
第二穿丝孔的孔径和深度都较小,主要起到对金丝穿出的导向作用,缺角的设定用于减短金丝的穿设路程,降低加工难度,金丝最后搭接在球缺形通槽上进行焊接。
优选的,所述缺角与焊接端面相邻的侧面为第二侧面,位于所述球缺形通槽和缺角之间的焊接端面上设有“V”形通槽,该“V”形通槽的长度方向与所述缺角的角边长度方向一致,所述第二侧面上倾斜设有延伸至“V”形槽其中一侧面的第三穿丝孔,该第三穿丝孔位于“V”形槽内的一端的高度低于球缺形通槽的高度。
上述技术方案中,为避免金丝过度曝露于劈刀外部,设置第三穿丝孔供金丝穿过,并绕过“V”形槽的两端搭接于球缺形通槽上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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