[实用新型]一种化学机械研磨装置

说明书

本实用新型提供一种化学机械研磨装置。所述一种化学机械研磨装置，包括：底架；升降设备，所述升降设备设置于所述底架的顶部，所述升降设备包括升降框，并且所述升降框的内壁的底部固定连接有电动气缸；连接设备，所述连接设备设置于所述底架的顶部，所述连接设备包括固定杆，并且固定杆的表面滑动连接有移动架。本实用新型提供的一种化学机械研磨装置具有，启动吸泵的动力带动吸液管和排液管对研磨头进行清洗，整个装置，对半导体晶圆进行化学机械研磨后对研磨头进行清洗，有效去除了在化学机械研磨中残留在研磨头或研磨头边缘上的颗粒、副产物以及研磨液结晶等残留物，防止了残留物对下一步化学机械研磨或下一片晶圆的化学机械研磨的损。

技术领域

本实用新型涉及研磨设备领域，尤其涉及一种化学机械研磨装置。

背景技术

化学机械研磨，晶圆制造中，随着制程技术的升级、导线与栅极尺寸的缩小，光刻(Lithography)技术对晶圆表面的平坦程度(Non-uniformity)的要求越来越高，IBM公司于1985年发展CMOS产品引入，并在1990年成功应用于64MB的DRAM生产中。1995年以后，CMP技术得到了快速发展，大量应用于半导体产业。化学机械研磨亦称为化学机械抛光，其原理是化学腐蚀作用和机械去除作用相结合的加工技术，是目前机械加工中唯一可以实现表面全局平坦化的技术。

现有的化学机械研磨装置结构简单，功能单一，在制程中常常会在晶圆表面上造成许多缺陷，这些缺陷主要包括划痕微粒、研磨液结晶残留物等，其中特别引起关注的是划痕，因为它们通常是晶圆的致命的缺陷，会极大程度地降低晶圆的总的良率。

因此，有必要提供一种化学机械研磨装置解决上述技术问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种化学机械研磨装置，解决了现有的化学机械研磨装置结构简单，功能单一，不具有清理的作用的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供的一种化学机械研磨装置，包括：底架；升降设备，所述升降设备设置于所述底架的顶部，所述升降设备包括升降框，并且所述升降框的内壁的底部固定连接有电动气缸；连接设备，所述连接设备设置于所述底架的顶部，所述连接设备包括固定杆，并且固定杆的表面滑动连接有移动架，所述移动架的左侧固定连接有顶架；驱动设备，所述驱动设备设置于所述顶架的顶部，并且所述驱动设备包括消音箱；驱动电机，所述驱动电机设置于所述消音箱的内壁的顶部，并且所述驱动电机的输出轴固定连接有转动杆，所述转动杆的底端固定连接有研磨头；支撑设备，所述支撑设备设置于所述底架的顶部，所述支撑设备包括稳定框，并且所述稳定框的内壁的底部转动连接有活动杆；放置设备，所述放置设备设置于所述活动杆的顶部，所述放置设备包括加热框，并且所述加热框的顶部固定连接有研磨槽；加液装置，所述加液装置设置于所述底架的顶部，并且所述加液装置包括清洗箱，所述清洗箱的顶部的左侧固定连接有吸泵。

优选的，所述电动气缸的顶部固定连接有固定块。

优选的，所述活动杆位于稳定框的内部的一端的表面固定连接有第一皮带轮。

优选的，所述稳定框的内壁底部的右侧固定连接有转动电机，并且所述转动电机的输出轴固定连接有第二皮带轮。

优选的，所述稳定框的内壁底部的左侧固定连接有供电箱，并且所述供电箱的内壁的底部设置有供电池。

优选的，所述加热框的内壁底部设置有加热块，所述加热框的内壁的两侧之间设置有加热管，并且所述加热管的表面缠绕有加热丝。

优选的，所述吸泵的吸口连通有吸液管，并且所述吸泵的排口连通有排液管，所述清洗箱的右侧连通有进液管。