[实用新型]一种倒装LED芯片有效
| 申请号： | 201921078150.9 | 申请日： | 2019-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN210156419U | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿;庄家铭 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46;H01L33/38;H01L33/42;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫;李素兰 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 led 芯片 | ||
1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括：
倒装LED芯片本体，所述倒装LED芯片本体表面设有第一钝化层；和
设于所述第一钝化层上的第一共晶层和第二共晶层；
所述第一共晶层和第二共晶层通过设于所述第一钝化层的孔洞与所述倒装LED芯片本体连接；
所述第一共晶层的高度和所述第二共晶层的高度相同，面积相等；
所述第一钝化层靠近第二共晶层处设有至少一条沟槽。
2.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一钝化层上设有一条沟槽；其设于所述第一共晶层与第二共晶层之间的第一钝化层上。
3.如权利要求2所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一钝化层上设有四条沟槽；所述沟槽围绕所述第二共晶层设置。
4.如权利要求2或3所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述沟槽的宽度为5～50μm，深度为10～500nm。
5.如权利要求2或3所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述沟槽横截面呈方形、锥形、椭圆形或半圆形。
6.如权利要求4所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一钝化层的厚度为600～1000nm。
7.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述倒装LED芯片本体包括：
基板；
设于所述基板上的外延层，所述外延层依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；
设于所述第二半导体层上的透明导电层；
设于所述透明导电层上的复合反射层；
设于所述复合反射层上的第二钝化层；
设于所述第二钝化层上的第一电极和第二电极；
以及设于所述第一电极和第二电极上的第一钝化层；
所述第一电极通过贯穿所述透明导电层、复合反射层、第二钝化层的多个第一小孔与所述第一半导体层连接；所述第二电极通过设于所述第二钝化层的第二孔洞与所述复合反射层连接。
8.如权利要求7所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述复合反射层包括反射层和设于所述反射层的金属阻挡层；
所述反射层采用PVD法形成，所述金属阻挡层采用磁控溅射工艺形成。
9.如权利要求8所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述金属阻挡层由Ti、Ni、Pt、W、Pd、Rh、TiW中的一种制成。
10.如权利要求8所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述透明导电层的厚度为所述反射层的厚度为所述金属阻挡层的厚度为所述第二钝化层的厚度为
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