[实用新型]一种倒装LED芯片

说明书

本实用新型公开了一种倒装LED芯片，其包括：倒装LED芯片本体，所述倒装LED芯片本体表面设有第一钝化层；和设于所述第一钝化层上的第一共晶层和第二共晶层；所述第一共晶层和第二共晶层通过设于所述第一钝化层的孔洞与所述倒装LED芯片本体形成电连接；所述第一共晶层的高度和所述第二共晶层的高度相同，面积相等；所述第一钝化层靠近第二共晶层处设有至少一条沟槽。本实用新型在倒装LED芯片表面的钝化层上设置了沟槽，防止焊接过程中熔化的助焊剂横向扩张；有效防止了电极接通，防止LED芯片漏电失效。同时，这种沟槽也可在后期清理过程中帮助助焊剂快速排出，提升芯片的高温可靠性。

技术领域

本实用新型涉及光电子制造技术领域，尤其涉及一种倒装LED芯片。

背景技术

倒装LED芯片是一种新型LED芯片，其散热性能和光效都比普通正装LED芯片优异。倒装LED芯片的封装于传统正装LED芯片相差较大，实现有效的实现封装是倒装LED芯片产业化的关键内容。在现有技术中，倒装LED芯片封装主要分为两种：第一种为金凸块键合制程，即先将金凸块固定到支架上，且金凸块的固定位置与电极位置相同，而后借由超音波压合，使芯片上的电极与封装支架上的金凸块接合完成电性连结，此法对封装支架要求度低，制程弹性大，但其金凸块用量大，成本高，且芯片对位需要较高之精准度，因此机台昂贵，生产效率不佳，导致整个生产成本过高。第二种为共晶接合制程，以蒸镀或溅镀制程将选定之共晶金属层制作于芯片上，再使用低温助焊剂将芯片预贴合至封装支架上，在高于共晶金属层之熔点下回焊，使芯片与封装支架形成接合，此法优点为金属成本低，生产速度快，对机台对位精度要求相对较低，但要求倒装LED芯片表面共晶金属层有足够的水平度，如果金属层表面有高低差，则会造成共晶空洞率过高，导致共晶不良，进而影响封装良率；此外，由于高温焊接过程中，助焊剂会融入电极隔区，会造成LED芯片漏电失效。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种倒装LED芯片，其有效减少助焊剂残留，防止LED芯片漏电失效；且其表面平整，易于封装。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种倒装LED芯片，其包括：

倒装LED芯片本体，所述倒装LED芯片本体表面设有第一钝化层；和

设于所述第一钝化层上的第一共晶层和第二共晶层；

所述第一共晶层和第二共晶层通过设于所述第一钝化层的孔洞与所述倒装LED芯片本体连接；

所述第一共晶层的高度和所述第二共晶层的高度相同，面积相等；

所述第一钝化层靠近第二共晶层处设有至少一条沟槽。

作为上述技术方案的改进，所述第一钝化层上设有一条沟槽；其设于所述第一共晶层与第二共晶层之间的第一钝化层上。

作为上述技术方案的改进，所述第一钝化层上设有四条沟槽；所述沟槽围绕所述第二共晶层设置。

作为上述技术方案的改进，所述沟槽的宽度为5～50μm，深度为10～500nm。

作为上述技术方案的改进，所述沟槽横截面呈方形、锥形、椭圆形或半圆形。

作为上述技术方案的改进，所述第一钝化层的厚度为600～1000nm。

作为上述技术方案的改进，所述倒装LED芯片本体包括：

基板；

设于所述基板上的外延层，所述外延层依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；

设于所述第二半导体层上的透明导电层；

设于所述透明导电层上的复合反射层；

设于所述复合反射层上的第二钝化层；