[实用新型]一种用于刻蚀设备的进气装置

说明书

本实用新型公开了一种用于刻蚀设备的进气装置，包括进气座，所述进气座内设有主气道以及引流气道，主气道的一端设有第一进气端；主气道的另一端设有出气端；引流气道的一端设有第二进气端，所述引流气道的另一端为盲端；所述第一进气端用于与外部供气管路连通；出气端与第二进气端连通；所述引流气道在进气座由进气座的中心呈非直线状态延伸至进气座的边缘；所述引流气道设有多个气孔；多个气孔在引流气道的延伸方向上间隔分布。本实用新型的进气装置，其引流气道可引导气流呈非直线状态流动，提高气体流动时的阻力，使引流气道内各处的气孔导出气体量差异较小。

技术领域

本实用新型涉及一种刻蚀设备，尤其涉及一种用于刻蚀设备的进气装置。

背景技术

目前，LED、PLC、太阳能、电容和电阻等半导体行业快速发展，所制备的器件呈现集成化、量化和微型化，对制程设备的性能要求日趋提升，特别是大尺寸基材制备器件对刻蚀设备性能要求更加苛刻。目前半导体行业为降低成本、提高产能，已从3寸晶圆发展到12寸，说明对刻蚀设备的刻蚀均匀性要求更加高。目前用的比较多且技术成熟的刻蚀设备是直接经过混气管路直接到达shower head腔，并依靠制程腔的真空差透过气孔到达制程腔,在此过程中，气体的运动方向没有轨迹和阻力。

刻蚀设备是半导体中不可或缺的制程设备，(半导体刻蚀设备如RIE的刻蚀原理是在RF的作用下，经过氩原子的撞击使反应气体分子分离成离子并获得能量来轰击目标，在目标上刻蚀出设计图形，这说明刻蚀的均匀性与制程腔体内反应气体的分布均匀性有关)可根据不同制程工艺进行混气，通过角度阀控制制程腔体压力。但刻蚀设备并非纯粹的物理轰击，而是物理轰击和化学反应相结合的制备过程，由于现有的混气管路设计比较简单，基本依靠制程腔的真空差及气体流动将气引入制程腔。气孔透过的气体流量大小不一，导致刻蚀过程中边缘刻蚀速率大于中心刻蚀速率，从而导致刻蚀时片内均匀性较差。

实用新型内容

为了克服现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种用于刻蚀设备的进气装置，其引流气道可引导气流呈非直线状态流动，提高气体流动时的阻力，使引流气道内各处的气孔导出气体量差异较小。

本实用新型的目的采用如下技术方案实现：

一种用于刻蚀设备的进气装置，包括进气座，所述进气座内设有主气道以及引流气道，主气道的一端设有第一进气端；主气道的另一端设有出气端；引流气道的一端设有第二进气端，所述引流气道的另一端为盲端；所述第一进气端用于与外部供气管路连通；出气端与第二进气端连通；所述引流气道在进气座由进气座的中心呈非直线状态延伸至进气座的边缘；所述引流气道设有多个气孔；多个气孔在引流气道的延伸方向上间隔分布。

进一步地，所述引流气道绕进气座的中心呈螺旋状延伸。

进一步地，所述引流气道包括多个环形气段，多个环形气段在进气座的径向上依次间隔分布；其中环形半径最小的环形气段的进气端形成为所述第二进气端；环形半径最大的环形气段具有所述盲端；多个环形气段相互衔接并呈所述螺旋状分布。

进一步地，所述气孔设有倒角；且气孔的内径以抛光工艺进行加工。

进一步地，所述气孔的直径为0.2mm-1mm。

进一步地，所述引流气道的直径为40mm-500mm。

进一步地，进气座上固接有进气管道；所述进气管道的进气口用于与外部供气管路连通；进气管道的出气口与所述第一进气端连通。

相比现有技术，本实用新型的有益效果在于：其气流经主气道引入至引流气道，由于引流气道由进气座的中心呈非直线状态延伸至进气座的边缘，因而气流在引流气道内流动时呈非直线状态走向，提高气体流动时的阻力，使气体不可直接由中心去到边缘，引流气道内各处的气孔导出气体量差异较小，而且不会造成出现串气的现象。

附图说明