[实用新型]超低残压的双向ESD保护器件

权利要求书

1.超低残压的双向ESD保护器件，其特征在于：包括P-区（101），位于P-区（101）上方的P+层（102）和N阱（103）；左侧N阱（103）顶部设第一P+接触区（104）以及第一N+接触区（105），左侧N阱（103）上方为阴极金属电极（109）；右侧N阱（103）顶部设第二P+接触区（106）以及第二N+接触区（107），右侧N阱（103）上方为阳极金属电极（110）；其中阴极金属电极（109）、阳极金属电极（110）与下方P+层（102）、N阱（103）的硅表面的非接触区域由绝缘介质层（108）隔离；

该器件为双向对称结构，左右两侧N阱（103）内的结构及金属电极在结构及工艺上完全一致；以保持该保护器件高度的正反向一致性特性；

左侧N阱（103）内的第一N+接触区（105）左右分别与第一P+接触区（104）相切，且第一N+接触区（105）位于N阱（103）表面的中心区域，两侧的第一P+接触区（104）也左右对称；

左右两侧N阱（103）边界与P+层（102）相切；其中P+层（102）与P-区（101）为电位浮空区域；

阴极金属电极（109）与阳极金属电极（110）为该保护器件的两个外界端口，芯片背面浮空，不再外接电极。

2.根据权利要求1所述的超低残压的双向ESD保护器件，其特征在于：所述P+层（102）采用外延方式或后续扩散后推结的方式形成。

3.根据权利要求1所述的超低残压的双向ESD保护器件，其特征在于：所述N阱（103）刻蚀槽深度介于0.5um~2um之间，N阱（103）间距小于1um。

4.根据权利要求1所述的超低残压的双向ESD保护器件，其特征在于：所述阴极金属电极（109）和阳极金属电极（110）的材料是金属硅化物。

5.根据权利要求1所述的超低残压的双向ESD保护器件，其特征在于：所述绝缘介质层（108）的材料是二氧化硅。

6.根据权利要求1所述的超低残压的双向ESD保护器件，其特征在于：所述P+层（102）的区域形状在N阱（103）之间改变，填充整个区域，或者填充部分区域，或者多段填充，其下端超过N阱（103）的下端。

7.根据权利要求1所述的超低残压的双向ESD保护器件，其特征在于：所述P+层（102）的区域形状在此区域改变，顶部一层为高浓度P+型层（301）；下方P型层（302）浓度较P+型层（301）低，较P-区（101）掺杂浓度高。