[实用新型]一种高可靠性影像传感器晶圆级封装结构有效
申请号: | 201921082388.9 | 申请日: | 2019-07-11 |
公开(公告)号: | CN210040201U | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 王成迁;李守委;朱思雄 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 32340 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 杨立秋 |
地址: | 214000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像传感器 晶圆 晶圆级封装结构 本实用新型 玻璃基板 玻璃载板 高可靠性 钝化层 背面 集成电路封装 金属线路层 封装工艺 封装效率 晶圆键合 键合层 阻焊层 良率 量产 制作 | ||
本实用新型公开一种高可靠性影像传感器晶圆级封装结构,属于集成电路封装领域。所述高可靠性影像传感器晶圆级封装结构包括影像传感器晶圆和玻璃载板,所述玻璃载板包括玻璃基板,所述玻璃基板通过键合层与所述影像传感器晶圆键合在一起;所述影像传感器晶圆的背面制作有TSV通孔,所述影像传感器晶圆的背面和所述TSV通孔中依次形成有第一钝化层、第二钝化层、金属线路层和阻焊层。本实用新型的封装工艺简单,成本低,封装效率和良率高,适合大规模量产使用。
技术领域
本实用新型涉及集成电路封装技术领域,特别涉及一种高可靠性影像传感器晶圆级封装结构。
背景技术
随着自动驾驶和物联网的发展,影像传感器在车载和安防等领域的应用越来越多;这些应用由于涉及安全问题,其对可靠性的要求也通常比较高。
传统的如专利CN105244359B公开的带有空腔结构的影像传感器晶圆级封装技术,越来越不能满足现在车载和安防对可靠性的要求。另外,从性能方面考虑,当前影像器件晶圆流片工艺水平不断提高,单颗芯片的像素点也在逐步增加,感光面积占芯片面积比重越来越高,因此也没有足够空间制作围堰从而形成空腔结构。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种高可靠性影像传感器晶圆级封装结构,以提高封装结构抗高温高湿的可靠性能力,解决可靠性中容易出现的键合分层问题。
为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种高可靠性影像传感器晶圆级封装结构,包括:
影像传感器晶圆;
玻璃载板,包括玻璃基板,所述玻璃基板通过键合层与所述影像传感器晶圆键合在一起;
所述影像传感器晶圆的背面制作有TSV通孔,所述影像传感器晶圆的背面和所述TSV通孔中依次形成有第一钝化层、第二钝化层、金属线路层和阻焊层。
可选的,所述阻焊层上形成有开口,所述开口中制作有凸点或印刷焊球。
可选的,所述TSV通孔为角度50°~70°二阶斜孔,包括第一阶平台和第二阶平台。
可选的,所述第一钝化层覆盖所述第一阶平台,并在所述第二阶平台处保留5-50微米;所述第二钝化层完全覆盖所述第二阶平台所在平面。
可选的,所述玻璃基板的厚度为50~500μm,且两面都镀有防反射层。
可选的,所述键合层的厚度不小于1μm,透光率不低于99%。
可选的,所述金属线路层通过物理气相沉积、电镀和化镀方法制作。
可选的,所述阻焊层采用旋涂或丝网印胶工艺制作,其厚度不小于1μm。
可选的,所述影像传感器晶圆包括硅基板和形成在所述硅基板上的影像传感器晶圆功能层、金属焊垫层和微透镜。
在本实用新型提供的高可靠性影像传感器晶圆级封装结构中,包括:影像传感器晶圆和玻璃载板,所述玻璃载板包括玻璃基板,所述玻璃基板通过键合层与所述影像传感器晶圆键合在一起;所述影像传感器晶圆的背面制作有TSV通孔,所述影像传感器晶圆的背面和所述TSV通孔中依次形成有第一钝化层、第二钝化层、金属线路层和阻焊层。
本实用新型通过高透光率键合层,形成无空腔封装结构,大大增强封装芯片抗高温高湿可靠性,解决可靠性中容易出现的键合分层问题。同时,通过两步钝化法分别形成第一钝化层和第二钝化层,一方面可以减小封装体钝化胶体积,另一方面在TSV通孔的第二阶平台表面形成凸起,降低了芯片表面钝化层厚度,提高阻焊层在旋涂时候的厚度均一性,能够增强封装体的抗冷热冲击可靠性能力。本实用新型的封装工艺简单,成本低,封装效率和良率高,适合大规模量产使用。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的