[实用新型]一种具有提升异质结太阳电池光电转换效率的电池结构有效
| 申请号： | 201921089818.X | 申请日： | 2019-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN210052747U | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 张鹏 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能(成都)有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0747;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 51230 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戴立亮 |
| 地址： | 610299 四川省成都市双流*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电池结构 异质结太阳电池 光电转换效率 本实用新型 纳米颗粒 氧化硅层 太阳能电池生产 背场电极 降低设备 依次设置 电极 掺杂区 耗材 背面 制造 | ||
1.一种具有提升异质结太阳电池光电转换效率的电池结构,其特征在于：包括从下到上依次设置的背面Al背场电极(1)、第一ITO区(2)、第二ITO区(3)，第一ITO区(2)、第二ITO区(3)之间设置有掺杂区(4)，所述第二ITO区(3)上方的一侧设置有正面Ti/Al电极(5)，所述第二ITO区(3)上方的一侧设置有掺铟纳米颗粒氧化硅层(6)，所述掺铟纳米颗粒氧化硅层(6)的厚度为：5-30nm。
2.如权利要求1所述的一种具有提升异质结太阳电池光电转换效率的电池结构,其特征在于：所述掺杂区(4)包括从上到下依次设置的P+ a-Si掺杂层(7)、第一ia-Si掺杂层(8)、N-type c-si层(9)、第二i a-Si掺杂层(10)、n+ a-Si掺杂层(11)；所述掺杂区(4)中均掺杂设置有H离子。
3.如权利要求2所述的一种具有提升异质结太阳电池光电转换效率的电池结构,其特征在于：所述P+ a-Si掺杂层(7)的厚度为10nm、第一i a-Si掺杂层(8)的厚度为12nm、N-type c-si层(9)的厚度为200um、第二i a-Si掺杂层(10)的厚度为12nm、n+ a-Si掺杂层(11)的厚度为20nm。
4.如权利要求1所述的一种具有提升异质结太阳电池光电转换效率的电池结构,其特征在于：所述掺铟纳米颗粒氧化硅层(6)的厚度为：20nm。
5.如权利要求1所述的一种具有提升异质结太阳电池光电转换效率的电池结构,其特征在于：所述掺铟纳米颗粒氧化硅层(6)的透光率＞80％。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
