[实用新型]一种具有提升异质结太阳电池光电转换效率的电池结构

说明书

本实用新型公开了一种具有提升异质结太阳电池光电转换效率的电池结构,属于太阳能电池生产制造技术领域中的一种电池结构，其目的在于提供一种有提升异质结太阳电池光电转换效率的电池结构，其技术方案为包括从下到上依次设置的背面Al背场电极、第一ITO区、第二ITO区，第一ITO区、第二ITO区之间设置有掺杂区，所述第二ITO区上方的一侧设置有正面Ti/Al电极，所述第二ITO区上方的一侧设置有掺铟纳米颗粒氧化硅层，所述掺铟纳米颗粒氧化硅层的厚度为：5‑30nm；本实用新型提供一种具有提升异质结太阳电池光电转换效率的电池结构，从而降低设备成本、降低耗材。

技术领域

本实用新型属于太阳能电池生产制造技术领域，具体涉及一种具有提升异质结太阳电池光电转换效率的电池结构。

背景技术

传统晶硅太阳能电池的效率近年来上升很快，市场对高效电池的需求与期望越来越高，各种新技术、新结构被采用在最近的高效电池生产中，比如异质结结构(HIT)和隧道氧化层钝化接触(TOPCon)结构等，HIT(Heterojunction with intrinsic thin-layer)太阳能电池,即具有本征非晶硅薄层的异质结太阳能电池,利用了非晶硅薄膜/单晶硅衬底的异质结结构,从而结合了单晶硅和非晶硅太阳能电池优良的特点。这种类型结构的电池可以在较低温度下(250℃)制造,具有良好的光照稳定性和温度稳定性,成本低而且效率高；异质结(HJT)太阳电池是继钝化发射极背面接触(PERC)电池后，最有可能成为下一代主流太阳电池的电池结构。目前异质结电池由于涉及成本过高，未大规模生产，若实现大规模工业化生产，需要降低成本，在成本的降低方面可以通过提升HJT电池电池效率、降低设备成本、降低耗材成本等方面进行。

本专利设计的方案是通过提升HJT电池效率来降低成本的。主要通过设计新结构，实现提效的目的。

实用新型内容

本实用新型的目的在于：为解决现有技术中，太阳能异质结结构由于成本过高等问题，通过一种具有提升异质结太阳电池光电转换效率的电池结构，从而降低设备成本、降低耗材。

本实用新型采用的技术方案如下：

一种具有提升异质结太阳电池光电转换效率的电池结构,包括从下到上依次设置的背面Al背场电极、第一ITO区、第二ITO区，第一ITO区、第二ITO区之间设置有掺杂区，所述第二ITO区上方的一侧设置有正面Ti/Al电极，所述第二ITO区上方的一侧设置有掺铟纳米颗粒氧化硅层，所述掺铟纳米颗粒氧化硅层的厚度为：5-30nm。

进一步的，所述掺杂区包括从上到下依次设置的P⁺a-Si掺杂层、第一i a-Si掺杂层、N-type c-si层、第二i a-Si掺杂层、n⁺a-Si掺杂层；所述掺杂区中均掺杂设置有H离子。

进一步的，所述P⁺a-Si掺杂层的厚度为10nm、第一i a-Si掺杂层的厚度为12nm、N-type c-si层的厚度为200um、第二i a-Si掺杂层的厚度为12nm、n⁺a-Si掺杂层的厚度为20nm。

进一步的，所述掺铟纳米颗粒氧化硅层的厚度为：20nm。

进一步的，所述掺铟纳米颗粒氧化硅层的透光率＞80％。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是：

本实用新型中，针对N型异质结电池提效问题，通过本专利结构的提供，可以进一步提升异质结电池光电转换效率，提高发电能力，降低发电成本。目前异质结电池生产技术基本成熟，国内外好多厂家已经开始规模化量产HJT电池，主要是因为该结构电池可以获得更高效率，具体电池结构如图1所示。本专利提供的新结构HJT电池如图2所示，在原有结构的基础之上，增加一层掺铟纳米颗粒氧化硅层，该薄膜层可以提升电池载流子收集能力，也可以提升电池光吸收能力。综合起来可以有效提升电池转换效率。