[实用新型]一种用于制造超低损耗单模光纤的沉积装置

权利要求书

1.一种用于制造超低损耗单模光纤的沉积装置，其特征在于：包括从上到下依次设有的包层沉积反应室、电阻炉、芯层沉积反应室，所述的包层沉积反应室的顶壁开口，在包层沉积反应室的左侧壁上设有第一排气孔，在包层沉积反应室的右侧壁底端设有内包层沉积喷灯，且内包层沉积喷灯的出火处设在包层沉积反应室内的右底侧，在电阻炉内部安装一个石英管，所述的芯层沉积反应室与包层沉积反应室之间安装电阻炉，所述的包层沉积反应室、电阻炉、芯层沉积反应室从上到下依次相连通，在芯层沉积反应室内进行芯棒疏松体制品的芯层沉积，芯层进入电阻炉进行脱水，在包层沉积反应室内用于对芯层外沉积一层包层，在电阻炉与芯层沉积反应室之间连通有排气环，在芯层沉积反应室的左侧壁上设有第二排气孔，在芯层沉积反应室的右侧壁底端设有芯层沉积喷灯，且芯层沉积喷灯的出火处设在芯层沉积反应室内的右底侧，石英玻璃靶棒安装在VAD设备的引杆上，石英玻璃靶棒的下端从包层沉积反应室的顶壁进入到包层沉积反应室内，且依次穿过石英管、排气环，石英玻璃靶棒的最下端位于芯层沉积反应室内。

2.根据权利要求1所述的一种用于制造超低损耗单模光纤的沉积装置，其特征在于：所述的VAD设备的引杆以50rpm顺时针旋转。

3.根据权利要求1所述的一种用于制造超低损耗单模光纤的沉积装置，其特征在于：在内包层沉积喷灯、芯层沉积喷灯内用于通入SiCl4、H2、O2气体。

4.根据权利要求1所述的一种用于制造超低损耗单模光纤的沉积装置，其特征在于：石英玻璃靶棒的底部与芯层沉积喷灯的轴线相交。

5.根据权利要求1所述的一种用于制造超低损耗单模光纤的沉积装置，其特征在于：石英管镶嵌在电阻炉内，石英管上端的内径为60mm～70mm，石英管下端的内径为80mm～90mm，石英管的高度为350mm～450mm。