[实用新型]一种用于制造超低损耗单模光纤的沉积装置

说明书

本实用新型提供一种用于制造超低损耗单模光纤的沉积装置，包括从上到下依次设有的包层沉积反应室、电阻炉、芯层沉积反应室，所述的包层沉积反应室的顶壁开口，在包层沉积反应室的左侧壁上设有第一排气孔，在包层沉积反应室的右侧壁底端设有内包层沉积喷灯，且内包层沉积喷灯的出火处设在包层沉积反应室内的右底侧，在电阻炉内部安装一个石英管，所述的芯层沉积反应室与包层沉积反应室之间安装电阻炉。本实用新型的有益效果是：通过先沉积芯层然后脱水的方法有效地解决了光纤水峰高的问题,不仅可以获得损耗较低的超低损耗光纤，同时可以进行规模化生产，并且付出较低的生产成本。

技术领域

本实用新型属于光纤通讯技术领域，尤其是涉及一种用于制造超低损耗单模光纤的沉积装置。

背景技术

在光纤制造中，降低光纤的衰减主要是1310nm、1383nm、1550nm、1625nm四个窗口的衰减系数，随着技术的不断发展，目前通用的G.652D光纤已经是零水峰光纤，1383nm窗口处的衰减已降低到0.28dB/km，1310nm窗口处的衰减降低到0.32dB/km，1550nm窗口处衰减降低到了0.185dB/km，从设计和制造上基本已处于极致水平。剩余的衰减主要由于光纤材料本身的瑞利散射引起，因此，要得到衰减更低的单模光纤，需要从光纤的芯层材料和包层材料优化着手。现有的生产光纤过程中，常常采用VAD法沉积，易出现光纤水峰高的问题，降低了光纤的生产质量。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种防止出现光纤水峰高的现象、提高生产效率、提高生产质量的用于制造超低损耗单模光纤的制造方法的沉积装置，尤其适合在光纤的制作过程中。

本实用新型的技术方案是：一种用于制造超低损耗单模光纤的沉积装置，包括从上到下依次设有的包层沉积反应室、电阻炉、芯层沉积反应室，所述的包层沉积反应室的顶壁开口，在包层沉积反应室的左侧壁上设有第一排气孔，在包层沉积反应室的右侧壁底端设有内包层沉积喷灯，且内包层沉积喷灯的出火处设在包层沉积反应室内的右底侧，在电阻炉内部安装一个石英管，所述的芯层沉积反应室与包层沉积反应室之间安装电阻炉，所述的包层沉积反应室、电阻炉、芯层沉积反应室从上到下依次相连通，在芯层沉积反应室内进行芯棒疏松体制品的芯层沉积，芯层进入电阻炉进行脱水，在包层沉积反应室内用于对芯层外沉积一层包层，在电阻炉与芯层沉积反应室之间连通有排气环，在芯层沉积反应室的左侧壁上设有第二排气孔，在芯层沉积反应室的右侧壁底端设有芯层沉积喷灯，且芯层沉积喷灯的出火处设在芯层沉积反应室内的右底侧，石英玻璃靶棒安装在VAD设备的引杆上，石英玻璃靶棒的下端从包层沉积反应室的顶壁进入到包层沉积反应室内，且依次穿过石英管、排气环，石英玻璃靶棒的最下端位于芯层沉积反应室内。

按上述方案，所述的VAD设备的引杆以50rpm顺时针旋转。

按上述方案，在内包层沉积喷灯、芯层沉积喷灯内用于通入SiCl4、H2、O2气体。

按上述方案，石英玻璃靶棒的底部与芯层沉积喷灯的轴线相交。

按上述方案，石英管镶嵌在电阻炉内，石英管上端的内径为60mm～70mm，石英管下端的内径为80mm～90mm，石英管的高度为350mm～450mm。

本实用新型具有的优点和积极效果是：由于采用上述技术方案，

1)通过先沉积芯层然后脱水的方法有效地解决了光纤水峰高的问题。

2)不仅可以获得损耗较低的超低损耗光纤，同时可以进行规模化生产，并且付出较低的生产成本。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

图中：

1、芯棒疏松体制品 2、内包层沉积喷灯 3、石英管

4、芯层沉积喷灯 5、芯层沉积反应室 6、排气环