[实用新型]一种用于晶圆夹取的镊子

说明书

本实用新型公开了一种用于晶圆夹取的镊子，包括尾部相互连接的两个镊片，至少一个镊片的外表面上设置有一处视觉标记，所述视觉标记用于标记距其所在镊片端部预设长度的位置，所述预设长度等于所述晶圆边缘无效区的宽度。本实用新型依据所要夹取晶圆无效区的尺寸对镊子进行改造，在镊片表面设置对应于晶圆安全夹入距离的视觉标记，从而使得夹取晶圆操作过程中，使得夹取部位既完全位于晶圆无效区内，又不至于过度靠近晶圆边缘以致影响晶圆夹取转移操作的安全性。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件制造技术领域，具体涉及一种用于晶圆夹取的镊子。

背景技术

III-V族化合物，是元素周期表中III族的B，Al，Ga，In和V族的N，P，As，Sb形成的化合物，通常所说的III-V族半导体是由上述III族和V族元素所形成的两元化合物，其成分化学比为1：1，制造工艺复杂，价格昂贵，材料特性脆弱。目前工业上所使用的III-V族半导体主要为砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）和氮化镓（GaN）。III-V族化合物半导体材料在光电子器件、光电集成、超高速微电子器件和超高频微波器件及电路上已得到了重要应用，具有广阔前景。

在实际以III-V族半导体材料为基底的晶圆芯片，由于材料脆弱，芯片结构复杂，工艺要求高，产出良率低，单片单成本相较于普通硅晶片来说昂贵的多。所以提升良率降低风险是III-V族半导体芯片制程的重中之重。

III-V族半导体晶圆在取放片时很多情况下都使用镊子夹取。晶圆外圈一定宽度（通常为5mm）处及以外区域产出的芯片因外延、镀膜、刻蚀等过程造成的均匀性叠加差异为不良无效芯片，晶圆的这一边缘区域称为无效区，所以一般情况下使用镊子夹取晶片边缘的无效区处进行移动操作。现有普通镊子无法准确确定夹取时夹入的距离量，夹取量偏多，则晶圆内部区域正常晶粒夹取时受力会出现暗伤，造成晶片产出良率降低；夹取量偏少，夹取时有晃动现象，移动过程中稳定性差，有掉落破片报废风险存在。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于克服现有技术所存在无法准确度量夹入距离的不足，提供一种用于晶圆夹取的镊子，可在夹取晶圆时准确地确定夹入距离是否超过晶圆的无效区。

本实用新型具体采用以下技术方案解决以上技术问题：

一种用于晶圆夹取的镊子，包括尾部相互连接的两个镊片，至少一个镊片的外表面上设置有一处视觉标记，所述视觉标记用于标记距其所在镊片端部预设长度的位置，所述预设长度等于所述晶圆边缘无效区的宽度。

优选地，两个镊片的外表面均设置有所述视觉标记。

进一步地，所述设置有视觉标记的镊片表面上设置有以该镊片端部为起点并指向该镊片尾部的长度刻度。

优选地，所述视觉标记为所述长度刻度中对应于所述预设长度的刻度线。

进一步优选地，至少一个镊片的内表面上与所述视觉标记相对应的位置处设置有一处限位凸起。

更进一步优选地，两个镊片的长度不同，长度较长镊片的端部宽度也大于长度较短镊片，并且只有长度较短镊片的外表面上设置有所述视觉标记。

相比现有技术，本实用新型技术方案具有以下有益效果：

本实用新型依据所要夹取晶圆无效区的尺寸对镊子进行改造，在镊片表面设置对应于晶圆安全夹入距离的视觉标记，并进一步在相应位置处设置限位凸起，从而使得夹取晶圆操作过程中，使得夹取部位既完全位于晶圆无效区内，又不至于过度靠近晶圆边缘以致影响晶圆夹取转移操作的安全性。

附图说明

图1为本实用新型第一个实施例的结构主视图；

图2为本实用新型第一个实施例的结构俯视图；

图3为使用本实用新型第一个实施例进行晶圆夹取操作过程的俯视图；