[实用新型]发光二极管有效
| 申请号： | 201921095683.8 | 申请日： | 2019-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN209993623U | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 王恺;孙小卫;郑凡凯;刘皓宸 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司： | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 量子点层 铅基 发光层 电子传输层 钙钛矿层 本实用新型 空穴传输层 载流子传输 配体交换 透明电极 龟裂 基底 填充 发光二极管 钙钛矿材料 阳极 表面缺陷 透明 低缺陷 钙钛矿 成膜 应用 | ||
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
透明基底；
透明电极位于所述透明基底上；
电子传输层位于所述透明电极上；
发光层位于所述电子传输层上，所述发光层包括铅基量子点层和钙钛矿层，所述铅基量子点层位于所述电子传输层上，所述钙钛矿层位于所述铅基量子点层上，并且填充所述铅基量子点层的因配体交换导致的龟裂缝隙；
空穴传输层位于所述钙钛矿层上；
阳极位于所述空穴传输层上。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述铅基量子点包括：PbSe量子点、PbTe量子点或PbS量子点。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述电子传输层的材料包括：ZnO、AlQ3或TiO2。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层的材料包括：CBP或NPB。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述阳极的材料包括：MoO3/Au或MoO3/Al。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述透明电极的材料包括：ITO、AgNW或FTO。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述透明基底的材料包括：玻璃、透明的PET、聚酰亚胺或蓝宝石。
8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述电子传输层和所述发光层之间还包括有空穴阻挡层。
9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光层和所述空穴传输层之间还包括有电子阻挡层。
10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述透明电极和所述阳极还分别连接有导线。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
