[实用新型]发光二极管

说明书

本实用新型公开了一种发光二极管，包括：透明基底；透明电极位于所述透明基底上；电子传输层位于所述透明电极上；发光层位于所述电子传输层上，所述发光层包括铅基量子点层和钙钛矿层，所述铅基量子点层位于所述电子传输层上，所述钙钛矿层位于所述铅基量子点层上，并且填充所述铅基量子点层的因配体交换导致的龟裂缝隙；空穴传输层位于所述钙钛矿层上；阳极位于所述空穴传输层上。本实用新型应用了钙钛矿材料的低缺陷态和高载流子传输速率改善发光层的表面缺陷和载流子传输，并且通过在铅基量子点层因配体交换导致的龟裂间隙中填充钙钛矿，提高了发光层的成膜质量。

技术领域

本实用新型实施例涉及发光二极管技术，尤其涉及一种发光二极管。

背景技术

量子点(quantumdots，QDs)由有限数目的原子组成，三个维度尺寸均在纳米数量级。由于其能够接受激发光产生荧光，且具有激发光谱窄而发射光谱宽、以及通过改变量子点的尺寸，可使其发射光谱不同的特点，因此，目前量子点材料已经被应用于显示技术领域，以提高发光效率及色域。量子点作为一类新型的具有优良光电特性的半导体纳米材料，具有制备工艺简单，成本低，光谱可调，可大面积制备的有点，还可以使器件具有量子限域效应带来的发射光波长可调节。铅基量子点由于其量子产率高、粒径分布均匀且在空气中稳定的优势，而成为了理想的下一代近红外发光二极管材料。但是近红外发光二极管制备中存在铅基量子点表面缺陷态多、载流子传输速率低的问题，虽然可以通过配体交换的方式改善发光层载流子迁移率，但随之而来的是长链变短链薄膜产生的龟裂问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种发光二极管及制备方法，通过在铅基量子点层配体交换导致的龟裂间隙填补钙钛矿，以提高发光二极管的光电性能和稳定性。

本实用新型实施例还提供了一种发光二极管，包括：

透明基底；

透明电极位于所述透明基底上；

电子传输层位于所述透明电极上；

发光层位于所述电子传输层上，所述发光层包括铅基量子点层和钙钛矿层，所述铅基量子点层位于所述电子传输层上，所述钙钛矿层位于所述铅基量子点层上，并且填充所述铅基量子点层的因配体交换导致的龟裂缝隙；

空穴传输层位于所述钙钛矿层上；

阳极位于所述空穴传输层上。

可选的，所述铅基量子点包括：PbSe量子点、PbTe量子点或PbS量子点。

可选的，所述电子传输层的材料包括：ZnO、AlQ₃或TiO₂。

可选的，所述空穴传输层的材料包括：CBP或NPB。

可选的，所述阳极的材料包括：MoO₃/Au或MoO₃/Al。

可选的，所述透明电极的材料包括：ITO、AgNW或FTO。

可选的，所述透明基底的材料包括：玻璃、透明的PET、聚酰亚胺或蓝宝石。

可选的，所述电子传输层和所述发光层之间还包括有空穴阻挡层。

可选的，所述发光层和所述空穴传输层之间还包括有电子阻挡层。

可选的，所述透明电极和所述阳极还分别连接有导线。

本实用新型应用了钙钛矿材料的低缺陷态和高载流子传输速率改善发光层的表面缺陷和载流子传输，通过在铅基量子点层配体交换导致的龟裂间隙填补钙钛矿，提高了发光层的成膜质量，实现了提高发光二极管的光电性能和稳定性的效果。

附图说明

图1为本实用新型实施例一中的发光二极管的制备方法的流程图；