[实用新型]高压倒装LED光源

说明书

本实用新型公开了一种高压倒装LED光源，其包括导热基板和高压倒装LED芯片，所述芯片的第一表面具有电极，第二表面为出光面，所述第一表面与第二表面相背对设置，所述导热基板表面形成有至少一凸台，其中至少一所述芯片的第一表面通过导热绝缘连接胶与一所述凸台的顶端面连接。所述芯片包括电极区与发光区，所述电极区与发光区间隔设置。本实用新型的高压倒装LED光源中，所述芯片可以与基板无缝结合，且可避免出现连接胶溢流到导电电极处的问题，从而既可保障电学连接的有效性，亦可增强LED倒装芯片的散热均匀性，同时采用的LED芯片为单片集成大功率高压倒装LED芯片，具有稳定性好、抗失效率高、面积利用率高等特点。

技术领域

本实用新型涉及一种LED的封装结构，具体涉及一种高压倒装LED光源，属于半导体技术领域。

背景技术

与正装芯片相比，倒装芯片具有更低的热阻，更好的取光，无需金线，更好的集成性和制作更加简单等优点。目前，由于技术水平的限制，为了保证芯片的良率，产业化水平的倒装LED芯片一般具有功率小、面积小和集成度低的特点，这种特点在很大程度上限制了倒装LED的应用，使得倒装LED市场上出现空白。要填补这块空白，扩大倒装LED的应用范围，亟需获得能够用于产业化的大功率高压集成倒装LED芯片。然而，目前大功率高压集成倒装芯片在封装时面临多个技术难题，例如：绝缘连接胶溢出影响电极导电的问题；以及，芯片发光区与基板之间的导热绝缘问题。但业界一直未能探索出有效的解决办法。

发明内容

本实用新型的主要目的在于提供一种高压倒装LED光源，以克服现有技术中的不足。

为实现前述发明目的，本实用新型采用的技术方案包括：

本实用新型实施例提供了一种高压倒装LED光源，包括导热基板和高压倒装LED芯片，所述LED芯片的第一表面具有电极，第二表面为出光面，所述第一表面与第二表面相背对设置，所述导热基板表面形成有至少一凸台，其中至少一所述LED芯片的第一表面通过导热绝缘连接胶与一所述凸台的顶端面连接。

在一些较为优选的实施方式中，所述高压倒装LED芯片为单片集成大功率高压倒装LED芯片，所述LED芯片包括电极区与发光区，所述电极区与发光区间隔设置，所述发光区包括多个能独立发光的单胞，所述多个单胞串联和/或并联设置，所述多个单胞与电极区电连接。

在一些较为优选的实施方式中，所述发光区与电极区之间的间距满足如下条件：在将所述LED芯片的第一表面通过导热绝缘连接胶与所述凸台的顶端面连接的过程中，无导热绝缘连接胶溢流到电极区表面。

与现有技术相比，本实用新型至少具有如下有益效果：提供的高压倒装LED光源中，LED倒装芯片可以与基板无缝结合，且可避免出现连接胶溢流到导电电极处的问题，从而既可保障电学连接的有效性，亦可增强LED倒装芯片的散热均匀性。同时，其中采用的倒装LED芯片为单片集成大功率高压倒装LED芯片，其具有稳定性好、抗失效率高等特点，其中电极区与发光区的特殊位置设计可以有效地提高芯片的面积利用率，将发光区域面积最大化，以及还可保证封装时导热绝缘层材料不溢到电极表面，并保证焊锡不溢到发光区造成短路。

附图说明

图1是现有的一种倒装LED光源的结构示意图。

图2是现有的一种倒装LED光源的示意图。

图3是本实用新型第一实施例中一种高压倒装LED光源的示意图。

图4是本实用新型第一实施例中一种高压倒装LED芯片的结构示意图。

图5是本实用新型第二实施例中一种高压倒装LED光源的示意图。

图6是本实用新型第三实施例中一种高压倒装LED光源的示意图。

图7是本实用新型第四实施例中一种高压倒装LED光源的示意图。