[实用新型]图腾柱结构测试修调电路

权利要求书

1.一种图腾柱结构测试修调电路，其特征在于，包括：自动测试设备、供电电路、图腾柱阵列和被测器件，其中：

所述自动测试设备用于对被测器件进行测试；

所述供电电路的输入端连接所述自动测试设备的供电电源，输出端连接所述图腾柱阵列的输入端，并用于对所述图腾柱阵列供电；

所述图腾柱阵列的输出端连接所述被测器件，并用于对所述被测器件的熔丝进行修调，调整所述自动测试设备对所述被测器件的测试结果。

2.根据权利要求1所述的图腾柱结构测试修调电路，其特征在于，所述图腾柱阵列包括N个图腾柱子电路，每个所述图腾柱子电路的输入端连接到所述供电电路的输出端，用于获取电源；每个所述图腾柱子电路的输出端连接到所述被测器件的熔丝，并对所述被测器件的熔丝进行修调。

3.根据权利要求2所述的图腾柱结构测试修调电路，其特征在于，所述图腾柱子电路包括储能元件和开关子电路，其中：

所述储能元件连接到所述供电电路的输出端，用于在不修调时，通过所述供电电路对所述储能元件充电；所述储能元件还连接到所述开关子电路的输入端，用于在修调时，对所述开关子电路放电；

所述开关子电路的输出端连接到所述被测器件，所述开关子电路包括开关器件，用于在修调时，通过控制所述开关器件的导通或截止，对所述被测器件的熔丝进行修调。

4.根据权利要求3所述的图腾柱结构测试修调电路，其特征在于，所述开关器件包括一个PMOS和一个NMOS，所述PMOS的源极连接所述储能元件，所述PMOS的漏极与所述NMOS的漏极连接并连接到所述被测器件的熔丝，所述NMOS的源极连接参考地，所述PMOS和NMOS的栅极连接到控制单元，通过控制所述PMOS和NMOS的导通或截止，对所述被测器件的熔丝进行修调。

5.根据权利要求3所述的图腾柱结构测试修调电路，其特征在于，所述开关器件包括一个NPN三极管和一个PNP三极管，所述NPN三极管的集电极连接所述储能元件，所述NPN三极管的发射极与所述PNP三极管的发射极连接并连接到所述被测器件的熔丝，所述PNP三极管的集电极连接参考地，所述NPN三极管和PNP三极管的栅极连接到控制单元，通过控制所述NPN三极管和PNP三极管的导通或截止，对所述被测器件的熔丝进行修调。

6.根据权利要求3所述的图腾柱结构测试修调电路，其特征在于，所述开关器件包括一个NPN静电感应晶体管和一个PNP静电感应晶体管，所述NPN静电感应晶体管的集电极连接所述储能元件，所述NPN静电感应晶体管的发射极与所述PNP静电感应晶体管的发射极连接并连接到所述被测器件的熔丝，所述PNP静电感应晶体管的集电极连接参考地，所述NPN静电感应晶体管和PNP静电感应晶体管的栅极连接到控制单元，通过控制所述NPN静电感应晶体管和PNP静电感应晶体管的导通或截止，对所述被测器件的熔丝进行修调。

7.根据权利要求3所述的图腾柱结构测试修调电路，其特征在于，所述开关器件包括两个IGBT、两个可关断晶闸管或两个可关断可控硅，所述开关子电路包括互锁电路，通过所述互锁电路控制所述IGBT、可关断晶闸管或可关断可控硅的导通或截止，对所述被测器件的熔丝进行修调。

8.根据权利要求3所述的图腾柱结构测试修调电路，其特征在于，所述储能元件包括储能电容。

9.根据权利要求8所述的图腾柱结构测试修调电路，其特征在于，所述图腾柱结构测试修调电路还包括N个反逆流二极管，每个所述反逆流二极管连接在所述供电电路的输出端和所述储能元件之间。

10.根据权利要求9所述的图腾柱结构测试修调电路，其特征在于，所述供电电路包括三端可调稳压电路，所述三端可调稳压电路包括LM317、第一电阻、第二电阻、第一电容和第二电容；其中：

所述LM317的第一端连接所述自动测试设备的供电电源，所述LM317的第二端连接所述图腾柱阵列的输入端，并用于对所述图腾柱阵列供电；

所述第一电阻和第二电阻串联连接在所述LM317的第二端和参考地之间，且所述第一电阻和第二电阻的连接节点连接到所述LM317的第二端，所述第二电阻为可调电阻，用于调节所述LM317的输出电压；

所述第一电容连接在所述LM317的第一端和所述参考地之间，用于对所述LM317的输入电压滤波；

所述第二电容连接在所述LM317的第二端和所述参考地之间，用于对所述LM317的输出电压滤波。