[实用新型]芯片封装结构

权利要求书

1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：

至少一个裸片，所述裸片包括裸片活性面和裸片背面；

导电结构，形成于所述裸片活性面一侧；

保护层，形成于所述裸片活性面一侧；

塑封层，所述塑封层用于包封所述裸片；

介电层。

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述导电结构包括晶片导电层、导电填充通孔和面板级导电层；所述导电填充通孔形成于所述保护层内。

3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，

所述裸片活性面包括电连接点和绝缘层；

至少一部分所述晶片导电层和所述电连接点电连接，用于将所述电连接点从所述裸片活性面引出；

至少一部分导电填充通孔下表面和所述晶片导电层电连接；

至少一部分导电填充通孔上表面和所述面板级导电层电连接。

4.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，至少一部分所述晶片导电层将多个所述电连接点彼此互连并引出。

5.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，至少一部分所述晶片导电层将所述电连接点单独引出。

6.根据权利要求5所述的芯片封装结构，其特征在于，所述晶片导电层与所述电连接点的单个接触区域的接触面积小于所述晶片导电层与所述导电填充通孔的单个接触区域的接触面积。

7.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述面板级导电层包括导电迹线和/或导电凸柱；

所述介电层，包覆于所述面板级导电层；

所述面板级导电层为一层或多层。

8.根据权利要求7所述的芯片封装结构，其特征在于，最靠近所述裸片活性面的所述导电迹线的至少一部分形成在塑封层正面并延伸至封装体的边缘。

9.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述裸片背面从所述塑封层暴露。

10.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，介电层的表面对应于所述面板级导电层的位置处具有凹槽。

11.根据权利要求1至10任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述至少一个裸片为多个裸片，所述多个裸片之间根据产品设计进行电连接。

12.根据权利要求1至10任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述保护层的材料为有机/无机复合材料。

13.根据权利要求12所述的芯片封装结构，其特征在于，所述保护层的杨氏模量为以下任一数值范围或数值：1000～20000MPa、1000～10000MPa、4000～8000MPa、5500MPa。

14.根据权利要求12所述的芯片封装结构，其特征在于，所述保护层的厚度为以下任一数值范围或数值：15～50μm、20～50μm、35μm、45μm、50μm。

15.根据权利要求12所述的芯片封装结构，其特征在于，所述保护层的热膨胀系数为以下任一数值范围或数值：3～10ppm/K、5ppm/K、7ppm/K、10ppm/K。

16.根据权利要求12所述的芯片封装结构，其特征在于，所述塑封层的热膨胀系数为以下任一数值范围或数值：3～10ppm/K、5ppm/K、7ppm/K、10ppm/K。

17.根据权利要求12所述的芯片封装结构，其特征在于，所述保护层和所述塑封层具有相同或相近的热膨胀系数。