[实用新型]存储器

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底中形成有多个有源区；

多条位线结构，形成在所述衬底上，并利用相邻的位线结构界定出节点接触窗，所述节点接触窗的底部还延伸至所述衬底中，并暴露有至少部分有源区；以及，

多个节点接触部，填充在所述节点接触窗中并和所述有源区电性连接，以及所述节点接触部中形成有至少一个空隙，并且所述空隙的顶部不低于邻近的任一位线结构的底部。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述至少一个空隙包括第一空隙，所述第一空隙的至少顶部介于相邻的位线结构相互正对的区域中，并且所述第一空隙在相邻的两个位线结构之间相对于其中一个位线结构更偏向于另一个位线结构。

3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述位线结构包括依次形成在所述衬底上的第一导电层、第二导电层和第三导电层，以及所述第一空隙的顶部介于相邻的位线结构中两个第一导电层相互正对的区域中。

4.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述位线结构底部的外侧壁上形成有凹陷，所述凹陷的开口横向暴露于相邻的位线结构之间的间隙中，以及所述节点接触部形成在相邻的位线结构之间，并填充所述凹陷。

5.如权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述节点接触窗中延伸至衬底中的部分包括形成在所述衬底中的凹槽，以及所述位线结构中的所述凹陷的底部边界承接所述的凹槽的边界，以界定出位线接触窗的第一开口部。

6.如权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述第一空隙形成在所述第一开口部中，并且所述第一空隙的顶部介于相邻位线结构中两个凹陷相互正对的区域中。

7.如权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述衬底中还形成有沟槽隔离结构，并利用所述沟槽隔离结构分隔相邻的所述有源区，并且所述节点接触窗中还暴露有至少部分所述沟槽隔离结构；

其中，所述凹槽包括第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽对应在所述沟槽隔离结构中，所述第二凹槽对应在所述有源区中，并且所述第二凹槽的深度位置低于所述第一凹槽的深度位置。

8.如权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述位线结构包括位元线和隔离侧墙，所述位元线形成在衬底上并与相应的有源区电性连接，所述隔离侧墙至少覆盖所述位元线的侧壁；

以及，所述位线结构中的凹陷从所述隔离侧墙的外侧壁以朝向位元线的方向横向延伸，并延伸停止于所述隔离侧墙中。

9.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述至少一个空隙包括第二空隙，所述第二空隙的顶部和底部均介于相邻的位线结构相互正对的区域中，并且所述第二空隙位于相邻的位线结构之间的中间位置。

10.如权利要求9所述的存储器，其特征在于，所述位线结构包括依次形成在所述衬底上的第一导电层、第二导电层和第三导电层，以及所述第二空隙位于相邻位线结构中的两个第三导电层相互正对的区域中。

11.如权利要求9所述的存储器，其特征在于，所述至少一个空隙还包括第一空隙，所述第一空隙的至少顶部介于相邻的位线结构相互正对的区域中，以及所述第一空隙位于所述第二空隙的下方，并且所述第一空隙的最大宽度尺寸大于2倍的第二空隙的最大宽度尺寸。

12.如权利要求9所述的存储器，其特征在于，利用相邻的位线结构中高出于衬底顶表面的一部分界定出位线接触窗的第二开口部，所述第二空隙形成在所述第二开口部中。

13.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述位线结构沿着预定方向延伸并与相应的有源区相交，所述位线结构中与所述有源区相交的部分构成位线接触部，所述位线接触部嵌入至所述衬底中以和所述有源区电性连接，以及所述位线接触部延伸在衬底中的深度位置低于所述节点接触部延伸在衬底中的深度位置。