[实用新型]存储器

说明书

本实用新型提供了一种存储器。通过将节点接触部进一步延伸至衬底中，以和有源区电性连接，从而增加了节点接触部和有源区之间的接触面积，并使得节点接触部可以和高离子浓度的区域实现电性连接，基于此，即使在节点接触部中形成有空隙，仍能够维持节点接触部的连接性能。而针对允许有空隙的节点接触部而言，其制作难度更大、制备过程更快，相应的可以有效提升存储器的产能。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储器。

背景技术

存储器，例如动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)，其通常包括存储电容器以及电性连接所述存储电容器的存储晶体管，所述存储电容器用于存储代表存储信息的电荷，以及所述存储晶体管可通过一节点接触部电性连接所述存储电容器。

基于现有的存储器而言，目前仍存在制作难度大、制备工艺较为繁琐的问题。举例而言，在制备节点接触部时，为确保节点接触部能够与存储晶体管之间具有良好的电性连接，则对节点接触部的制备工艺的要求也较高，例如所采用的沉积工艺需具备较好的填充性能。此时，则必然会导致节点接触部的制作要求严格、制备过程较慢，不仅会影响存储器的生产效率，并且还会使得半导体加工设备的利用率较低。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种存储器，以降低存储器制作难度，加快存储器的制备过程，以利于提升产能。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种存储器，包括：

衬底，所述衬底中形成有多个有源区；

多条位线结构，形成在所述衬底上，并利用相邻的位线结构界定出节点接触窗，及所述节点接触窗的底部还延伸至所述衬底中，并暴露有至少部分有源区；以及，

多个节点接触部，填充在所述节点接触窗中并和所述有源区电性连接，以及所述节点接触部中形成有至少一个空隙，并且所述空隙的顶部不低于邻近的任一位线结构的底部。

本实用新型提供的存储器中，使节点接触部能够嵌入至衬底中，以和有源区电性连接，一方面可以增加节点接触部和有源区的接触面积；另一方面，还可以使节点接触部能够和有源区中离子浓度较高的区域接触，如此，即有利于改善节点接触部和有源区之间的接触电阻。基于此，本实用新型提供的存储器中，即能够允许节点接触部中形成有空隙，从而在制备节点接触部时，可以采用快速沉积的方式以更快的制备所述节点接触部，进而能够加快存储器的制备过程，有效提升产能，并提高半导体加工设备的利用率。即，本实用新型提供的存储器，即使在节点接触部中形成有空隙，然而针对嵌入至衬底中的节点接触部而言，可以有效补偿节点接触部与有源区之间的电性连接性能，保障节点接触部其电性导通的品质，基于此，则可以进一步提升存储器的生产产能。

进一步的，可以利用位线结构界定出节点接触窗，并且节点接触窗的底部还延伸至衬底中，以使得节点接触窗的底部相对于衬底的顶表面更为下沉，此时由于节点接触部中的空隙的顶部不低于邻近的任一位线结构的底部(例如，使得节点接触部中的空隙具有高出于衬底顶表面的部分)，相应的避免了空隙靠近有源区，确保了节点接触部与有源区之间的连接性能。

更进一步的，所述节点接触窗延伸至衬底中的部分例如包括第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽对应在沟槽隔离结构中，所述第二凹槽对应在有源区中，通过使第二凹槽的深度位置更低于第一凹槽的深度位置，从而可以进一步增加有源区暴露于节点接触窗中的面积，进而可以再次增加节点接触部与有源区之间的接触面积。

附图说明

图1为本实用新型一实施例中的存储器的俯视图；

图2为本实用新型一实施例中的存储器沿着aa’方向省略了节点接触部的剖面示意图；

图3为本实用新型一实施例中的存储器沿着aa’方向的剖面示意图；