[实用新型]一种电池片测试装置有效
申请号: | 201921156651.4 | 申请日: | 2019-07-22 |
公开(公告)号: | CN210142637U | 公开(公告)日: | 2020-03-13 |
发明(设计)人: | 何达能;方结彬;林纲正 | 申请(专利权)人: | 广东爱旭科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L31/18 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡枫;周应勋 |
地址: | 528000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电池 测试 装置 | ||
本实用新型公开了一种电池片测试装置,包括光源组件、探针排以及与所述探针排相连接的控制系统,所述探针排包括同轴设置的若干组针座,所述若干组针座首尾依次可转动连接;每组所述针座设有若干探针,所述探针用于均匀压设在待检测的半片电池片或整片电池片的电极上;所述光源组件用于为待检测的半片电池片或整片电池片表面提供照射光源。本实用新型能根据待检测的电池片调节针座,实现对半片电池片或整片电池片进行电性能测试,尤其便于半片电池片的后续组装。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种电池片测试装置。
背景技术
电池片是一种有效地吸收太阳辐射能,利用光生伏特效应把光能转换成电能的器件,当太阳光照在半导体P-N结(P-N Junction)上,形成新的空穴-电子对(V-E pair),在P-N结电场的作用下,空穴由N区流向P区,电子由P区流向N区,接通电路后就形成电流。由于是利用各种势垒的光生伏特效应将太阳光能转换成电能的固体半导体器件,因此电池片又称光伏电池,是电池片阵电源系统的重要组件。电池片主要有晶硅(Si)电池,三五族半导体电池(GaAs,Cds/Cu2S,Cds/CdTe,Cds/InP,CdTe/Cu2Te),无机电池,有机电池等,其中晶硅电池片居市场主流主导地位。
晶硅电池片的基本材料为纯度达0.999999、电阻率在10欧·厘米以上的P型单晶硅,业界主流的做法是对整片电池片(边长尺寸为156~159mm)封装成太阳电池组件。随着技术的发展,业界发现采用半片电池片封装组件,可以有效的提高太阳电池组件的功率。半片电池片技术是一种通过减小电池片尺寸,降低串阻损耗来提高组件功率的技术,其根据整片电池片片的电极图形,将标准规格的整片电池片片经激光切割为尺寸相等的两个或四个半片电池片,切割后的半片电池片可将通过每根主栅的电流降低为原来的1/2,内部损耗降低为整片电池的1/4,进而提升电池组件的功率。
然而目前市场上没有一种设备可以用于测量半片电池片,业界采取的办法是先对整片电池片的电性能进行测试,然后再将电池片切割成半片电池,再进一步对半片电池进行组装,这种做法操作比较繁琐,不能对半片电池进行灵活组装,不能充分发挥半片电池的优势。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于,提供一种电池片测试装置,其能根据待检测的电池片调节针座,实现对半片电池片或整片电池片进行电性能测试,尤其便于半片电池片的后续组装。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种电池片测试装置,包括光源组件、探针排以及与所述探针排相连接的控制系统,所述探针排包括同轴设置的若干组针座,所述若干组针座首尾依次可转动连接;每组所述针座设有若干探针,所述探针用于均匀压设在待检测的半片电池片或整片电池片的电极上;所述光源组件用于为待检测的半片电池片或整片电池片表面提供照射光源。
作为上述方案的改进,所述电池片测试装置设有第一探针排和第二探针排,所述第一探针排与第二探针排上下对应设置,所述第一探针排及第二探针排之间的间距可调,所述第一探针排及第二探针排分别与所述控制系统连接。
作为上述方案的改进,所述光源组件包括第一光源和第二光源,所述第一光源设于第一探针排上方,所述第二光源设于第二探针排下方。
作为上述方案的改进,所述光源组件还包括第一导轨和第二导轨,所述第一导轨及第二导轨沿所述针座的长度方向延伸,所述第一光源滑动设于第一导轨上,所述第二光源互动设于第二导轨上。
作为上述方案的改进,相邻两组针座可相对转动的角度为0~180°。
作为上述方案的改进,所述第一光源及第二光源为氙灯。
作为上述方案的改进,所述第一光源及第二光源与待检测的电池片之间的垂直距离为2—100cm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造