[实用新型]晶圆导电薄膜加工设备有效
申请号: | 201921167181.1 | 申请日: | 2019-07-24 |
公开(公告)号: | CN209804602U | 公开(公告)日: | 2019-12-17 |
发明(设计)人: | 刘相华 | 申请(专利权)人: | 麦峤里(上海)半导体科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 31315 上海骁象知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵峰 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 涡电流传感器 预对准 底座 旋转托盘 传送腔 横梁 晶圆 预对准装置 导电薄膜 滑动 工艺腔 半导体加工技术 横移驱动部件 本实用新型 处理装置 加工设备 径向滑动 膜厚测量 旋转电机 机械手 加厚 装载盒 导轨 导引 减薄 膜厚 种晶 驱动 | ||
一种晶圆导电薄膜加工设备,涉及半导体加工技术领域,所解决的是提高膜厚测量精度的技术问题。该系统包括工艺腔、传送腔,所述工艺腔中设有膜厚处理装置,所述传送腔上设有两个装载盒,传送腔内设有晶圆预对准装置、机械手;所述晶圆预对准装置包括预对准底座,及安装在预对准底座上的旋转托盘,预对准底座上设有旋转电机;所述预对准底座上固定有横梁,横梁上设有能沿旋转托盘的径向滑动的涡电流传感器,并且涡电流传感器位于旋转托盘的上方,横梁上设有用于导引涡电流传感器滑动的导轨,及用于驱动涡电流传感器滑动的横移驱动部件。本实用新型提供的系统,适用于晶圆导电薄膜的加厚或减薄。
技术领域
本发明涉及半导体加工技术,特别是涉及一种晶圆导电薄膜加工设备的技术。
背景技术
半导体工艺制程中对晶圆导电薄膜的膜厚、电阻率等特性的精确度要求较高。导电薄膜的方块电阻能同时反映导电薄膜的膜厚、电阻率的特性,因此导电薄膜的方块电阻测量被工业界广泛使用,而涡电流测量法则是导电薄膜方块电阻的常用测量方法。
现有的晶圆导电薄膜加工设备由传送腔、工艺腔、测试腔组成,传送腔内设有晶圆预对准装置,工艺腔中设有用于晶圆导电薄膜厚度加工(导电薄膜加厚或减薄)的膜厚处理装置,比如用于晶圆导电薄膜加厚的金属生长镀膜装置,用于晶圆导电薄膜减薄的膜层化学减薄装置、膜层机械减薄装置。工作时,传送腔内的机械手将晶圆从送到晶圆预对准器上进行位置和角度的调整,然后将调整好的晶圆送入工艺腔内的载片台,由膜厚处理装置实施导电薄膜加厚或减薄的加工,加工完毕后再由机械手送入测试腔,通过固定安装在测试腔内的涡电流传感器实施导电薄膜方块电阻的测量,测量结束后再由机械手送入成品晶圆盒内。
现有的晶圆导电薄膜加工设备需要配备独立的测试腔,具有占地面积大的缺点,而且涡电流传感器的安装位置是固定的,无法实现整片晶圆导电薄膜的厚度均匀测量,其测量精度相对较低。
发明内容
针对上述现有技术中存在的缺陷,本发明所要解决的技术问题是提供一种占地面积小,且膜厚测量精度高的晶圆导电薄膜加工设备。
为了解决上述技术问题,本发明所提供的一种晶圆导电薄膜加工设备,包括工艺腔、传送腔,所述工艺腔中设有用于晶圆导电薄膜厚度加工的膜厚处理装置,所述传送腔上设有第一装载盒、第二装载盒,传送腔内设有晶圆预对准装置,及用于移送晶圆的机械手;所述晶圆预对准装置包括固定在传送腔内的预对准底座,及安装在预对准底座上的旋转托盘,预对准底座上设有用于驱动旋转托盘转动的旋转电机,旋转托盘的转动轴线竖直;
其特征在于:所述预对准底座上固定有横梁,横梁上设有能沿旋转托盘的径向滑动的涡电流传感器,并且涡电流传感器位于旋转托盘的上方,横梁上设有用于导引涡电流传感器滑动的导轨,及用于驱动涡电流传感器滑动的横移驱动部件。
进一步的,所述预对准底座上设有用于带动旋转托盘平向二维移动的二维云台,旋转电机安装在二维云台上,预对准底座上设有可升降的外托架,及用于驱动外托架升降的升降驱动部件,所述外托架下降至下行止点时,外托架的顶端低于旋转托盘,外托架上升至上行止点时,外托架的顶端高于旋转托盘;
所述预对准底座上设有用于检测晶圆边缘位置的传感器,及用于检测旋转托盘转动角度的传感器。
本发明提供的晶圆导电薄膜加工设备,将测量膜厚用的涡电流传感器安装在传送腔内,在对晶圆实施预对准的过程中,利用涡电流传感器来检测晶圆导电薄膜的膜厚,无需配备独立测试腔,具有占地面积小的特点,而且涡电流传感器能沿旋转托盘的径向滑动,通过涡电流传感器滑动与旋转托盘转动的配合,能实现晶圆导电薄膜的全面扫描,具有膜厚测量精度高的特点。
附图说明
图1是本发明实施例的晶圆导电薄膜加工设备的结构示意图;
图2是本发明实施例的晶圆导电薄膜加工设备中的晶圆预对准装置中,外托架下降至下行止点时的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造