[实用新型]一种静电吸盘组件及等离子体蚀刻设备有效
申请号: | 201921168555.1 | 申请日: | 2019-07-23 |
公开(公告)号: | CN210223990U | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | 薛荣华;朱进;刘家桦;叶日铨 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 王宏婧 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 静电 吸盘 组件 等离子体 蚀刻 设备 | ||
1.一种静电吸盘组件,其设置在等离子体处理室,其特征在于,包括:
静电吸盘,用于安装待蚀刻的晶圆;
接地挂环,所述接地挂环套设在所述静电吸盘的外侧;
基座,所述静电吸盘和接地挂环设置在所述基座上;
其中,所述接地挂环包括外壁,所述基座和静电吸盘暴露出所述外壁,所述外壁上形成有倾斜角,所述倾斜角将喷射到其上的等离子体的方向改变为斜下方,加快了静电吸盘边缘处的气流下排速率。
2.如权利要求1所述的静电吸盘组件,其特征在于,所述静电吸盘包括侧壁、上壁和下壁,所述静电吸盘的下壁朝向所述基座,所述静电吸盘的上壁上安装待蚀刻的晶圆,所述静电吸盘的侧壁朝向所述接地挂环的套设方向。
3.如权利要求2所述的静电吸盘组件,其特征在于,所述接地挂环呈环状,所述接地挂环还包括内壁和下壁,所述接地挂环的下壁朝向所述基座,所述接地挂环的内壁朝向所述静电吸盘的侧壁。
4.如权利要求3所述的静电吸盘组件,其特征在于,所述接地挂环的外壁至少包括所述倾斜角的倾斜面。
5.如权利要求4所述的静电吸盘组件,其特征在于,所述接地挂环的外壁包括所述倾斜面。
6.如权利要求5所述的静电吸盘组件,其特征在于,所述倾斜面包括平面倾斜面。
7.如权利要求1-6中任一项所述的静电吸盘组件,其特征在于,还包括静电吸盘保护环,所述静电吸盘保护环套设在所述静电吸盘的外侧,且位于所述静电吸盘和接地挂环之间。
8.如权利要求1-6中任一项所述的静电吸盘组件,其特征在于,还包括接地环盖,其覆盖所述接地挂环的外壁。
9.一种等离子体蚀刻设备,其特征在于,包括如权利要求1-8中任一项所述的静电吸盘组件。
10.如权利要求9所述的等离子体蚀刻设备,其特征在于,还包括等离子体处理室、喷头和排气口,所述静电吸盘组件、喷头和排气口设置在所述等离子体处理室中,所述静电吸盘组件设置在所述喷头和排气口之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造