[实用新型]一种静电吸盘组件及等离子体蚀刻设备

说明书

本实用新型提供的一种静电吸盘组件及等离子体蚀刻设备，静电吸盘组件包括：静电吸盘，用于安装待蚀刻的晶圆；接地挂环，接地挂环套设在静电吸盘的外侧；基座，静电吸盘和接地挂环设置在基座上；其中，接地挂环包括外壁，基座和静电吸盘暴露出外壁，外壁上形成有倾斜角，倾斜角将喷射到其上的等离子体的方向改变为斜下方，加快了静电吸盘边缘处的气流下排速率。本实用新型通过倾斜角改变了喷射在其上的等离子体的方向，使得其方向朝下，以加快静电吸盘边缘处的气流下排速率，从而加快等离子体处理室中气体导出率，还减少了蚀刻时在静电吸盘边缘处以及接地环盖上沉积的残留物，从而降低残留物剥离对产品良率的影响。

技术领域

本实用新型涉及集成电路工艺装置，特别涉及一种静电吸盘组件及等离子体蚀刻设备。

背景技术

在超大规模集成电路(ULSI)制造工艺中，随着电路尺寸的不断缩小，开始通过增加淀积层数的方法，在垂直方向上进行拓展。这些增加的层在器件、电路中起着各种不同的作用，主要可作为栅电极、多层布线的层间绝缘膜、金属布线、电阻、表面钝化层等。对于小图形，其分辨率受晶圆表面的条件影响很大，随着特征图形尺寸减小到亚微米级，芯片制造工艺对低缺陷密度的要求越来越迫切，对蚀刻工艺的要求也越来越高，会影响到器件的电性能和机械性能，并进而影响到器件的成品率及产量。

当需要对晶圆进行蚀刻工艺时，所述晶圆将首先被置于一反应腔室内的静电吸盘组件上，具体的，置于静电吸盘组件的静电吸盘上，然后通过喷头将蚀刻工艺所需的等离子体注入等离子体腔室中，并执行蚀刻工艺。

请参考图1，其为现有的静电吸盘组件的结构示意图。如图1所示，静电吸盘组件包括基座10、静电吸盘20、静电吸盘保护环30、接地挂环(ground ring)40和接地环盖50，所述静电吸盘20设置在基座10上，且所述静电吸盘20用于安装待蚀刻的晶圆，所述静电吸盘保护环30设置在静电吸盘20外侧，所述接地挂环40设置在所述静电吸盘保护环30外侧，且所述接地挂环40呈柱体环状，所述接地环盖50设置在所述接地线挂环40背向基座10的一侧上。在喷头将等离子体喷向晶圆时，受到接地挂环40的形状的影响，静电吸盘20边缘处的气流无法顺利排出，造成了静电吸盘20边缘处的气流下排速率较低，影响了晶圆边缘部位的蚀刻速率，同时，在蚀刻过程中，在静电吸盘20的边缘处以及接地环盖50上容易沉积残留物，该残留物产生的杂质可能从附着处剥落下来，最终可能落在晶圆上，特别是晶圆边缘部位上，在晶圆表面产生刻蚀缺陷，影响最终形成的半导体器件的电学性能，影响了半导体器件的良率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种静电吸盘组件及等离子体蚀刻设备，以提高静电吸盘边缘处的气流下排速率，并降低残留物剥离对产品良率的影响。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种静电吸盘组件，包括：

静电吸盘，用于安装待蚀刻的晶圆；

接地挂环，所述接地挂环套设在所述静电吸盘的外侧；

基座，所述静电吸盘和接地挂环设置在所述基座上；

其中，所述接地挂环包括外壁，所述基座和静电吸盘暴露出所述外壁，所述外壁上形成有倾斜面，所述倾斜面将喷射到其上的等离子体的方向改变为斜下方，加快了静电吸盘边缘处的气流下排速率。

可选的，所述静电吸盘包括侧壁、上壁和下壁，所述静电吸盘的下壁朝向所述基座，所述静电吸盘的上壁安装待蚀刻的晶圆，所述静电吸盘的侧壁朝向所述接地挂环的套设方向。

进一步的，所述接地挂环呈环状，所述接地挂环还包括内壁和下壁，所述接地挂环的下壁朝向所述基座，所述接地挂环的内壁朝向所述静电吸盘的侧壁。

更进一步的，所述接地挂环的外壁至少包括所述倾斜面。

更进一步的，所述接地挂环的外壁包括所述倾斜面。

更进一步的，所述倾斜面包括平面倾斜面。