[实用新型]一种具备低MEI辐射强度的产品电源电路

权利要求书

1.一种具备低MEI辐射强度的产品电源电路，包括有二极管VD1，二极管VD1的阳极用于连接外部电源的输入端，其特征在于，还包括：

第一电容C1，该第一电容C1的第一极连接二极管VD1的阴极，第一电容C1的第二极接地；

第一磁珠FB1，该第一磁珠FB1的首端连接二极管VD1的阴极；

第二电容C2，该第二电容C2的第一极连接第一磁珠FB1的末端，第二电容C2的第二极接地；

DC/DC模块N1，该DC/DC模块N1的电源输入端连接第二电容C2的第一极，该DC/DC模块N1的接地端接地；

第二磁珠FB2，该第二磁珠FB2的首端连接DC/DC模块N1的电源输出端，第二磁珠FB2的末端连接该产品的电源输出端。

2.根据权利要求1所述的具备低MEI辐射强度的产品电源电路，其特征在于，所述第一磁珠FB1和第二磁珠FB2均为贴片磁珠。

3.根据权利要求2所述的具备低MEI辐射强度的产品电源电路，其特征在于，所述第一磁珠FB1的规格参数和第二磁珠FB2的规格参数相同。

4.根据权利要求3所述的具备低MEI辐射强度的产品电源电路，其特征在于，所述第一磁珠FB1的规格参数分别是：频率为100MHz、电流为1.5A以及阻值为1K。

5.根据权利要求4所述的具备低MEI辐射强度的产品电源电路，其特征在于，所述第一电容C1的容量为10nF，所述第二电容C2的容量为100nF。

6.根据权利要求5所述的具备低MEI辐射强度的产品电源电路，其特征在于，所述DC/DC模块N1包括：

DC/DC芯片，该DC/DC芯片包括第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚、第五引脚、第六引脚、第七引脚、第八引脚和第九引脚，第九引脚接地；

电容CE1，该电容CE1的第一极分别连接第一磁珠FB1的末端和DC/DC芯片的第七引脚，电容CE1的第二极接地；

电容C11，该电容C11的第一极连接DC/DC芯片的第一引脚，电容C11的第二极连接DC/DC芯片的第八引脚；

二极管VD2，该二极管VD2的阳极接地，二极管VD2的阴极连接DC/DC芯片的第八引脚；

电感L1，该电感L1的首端连接DC/DC芯片的第八引脚，电感L1的末端连接第二磁珠FB2的首端；

电容CE2，该电容CE2的第一极连接电感L1的末端，电容CE2的第二极接地；

第三电容C3，该第三电容C3的第一极连接电感L1的末端，第三电容C3的第二极接地；

第一电阻R1，该第一电阻R1的首端连接DC/DC芯片的第四引脚；

第二电阻R2，该第二电阻R2的首端连接第一电阻R1的末端，第二电阻R2的末端接地；

第三电阻R3，该第三电阻R3的首端连接电感L1的末端，第三电阻R3的末端连接DC/DC芯片的第四引脚。

7.根据权利要求6所述的具备低MEI辐射强度的产品电源电路，其特征在于，所述二极管VD1的型号为MB520，所述二极管VD2的型号为MBRA340。

8.根据权利要求7所述的具备低MEI辐射强度的产品电源电路，其特征在于，所述电容C11的容量为0.1μF，所述电容C2的容量为0.1μF，所述第三电容C3的容量为0.1μF。

9.根据权利要求8所述的具备低MEI辐射强度的产品电源电路，其特征在于，所述电感L1的规格参数为22μH、1.45A。

10.根据权利要求9所述的具备低MEI辐射强度的产品电源电路，其特征在于，所述第一电阻R1的阻值为3kΩ，所述第二电阻R2的阻值为220Ω，所述第三电阻R3的阻值为10kΩ。