[实用新型]一种具备低MEI辐射强度的产品电源电路

说明书

本实用新型涉及一种具备低MEI辐射强度的产品电源电路，包括有二极管VD1，二极管VD1的阳极用于连接外部电源的输入端，还包括：第一电容C1，该第一电容C1的第一极连接二极管VD1的阴极，第一电容C1的第二极接地；第一磁珠FB1，该第一磁珠FB1的首端连接二极管VD1的阴极；第二电容C2，该第二电容C2的第一极连接第一磁珠FB1的末端，第二电容C2的第二极接地；DC/DC模块N1，该DC/DC模块N1的电源输入端连接第二电容C2的第一极，该DC/DC模块N1的接地端接地；第二磁珠FB2，该第二磁珠FB2的首端连接DC/DC模块N1的电源输出端，第二磁珠FB2的末端连接该产品的电源输出端。有效地降低了MEI辐射强度。

技术领域

本实用新型涉及产品电源电路领域，尤其涉及一种具备低MEI辐射强度的产品电源电路。

背景技术

当前，在针对多数的产品电源电路做EMI辐射测试时，通常要求产品的EMI辐射位于30MHZ～1GHZ之间，不能超出标准CLASS B 30dB值。

但是，在实际的测试过程中，现有产品电源电路的MEI辐射强度却难以满足行业标准所要求的数值范围，导致这些产品被认定为MEI辐射强度不合格产品。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种具备低MEI辐射强度的产品电源电路。

本实用新型解决上述技术问题所采用的技术方案为：一种具备低MEI辐射强度的产品电源电路，包括有二极管VD1，二极管VD1的阳极用于连接外部电源的输入端，其特征在于，还包括：

第一电容C1，该第一电容C1的第一极连接二极管VD1的阴极，第一电容C1的第二极接地；

第一磁珠FB1，该第一磁珠FB1的首端连接二极管VD1的阴极；

第二电容C2，该第二电容C2的第一极连接第一磁珠FB1的末端，第二电容C2的第二极接地；

DC/DC模块N1，该DC/DC模块N1的电源输入端连接第二电容C2的第一极，该 DC/DC模块N1的接地端接地；

第二磁珠FB2，该第二磁珠FB2的首端连接DC/DC模块N1的电源输出端，第二磁珠FB2的末端连接该产品的电源输出端。

改进地，在所述具备低MEI辐射强度的产品电源电路中，所述第一磁珠FB1和第二磁珠FB2均为贴片磁珠。

优选地，在所述具备低MEI辐射强度的产品电源电路中，所述第一磁珠FB1的规格参数和第二磁珠FB2的规格参数相同。

进一步地，在所述具备低MEI辐射强度的产品电源电路中，所述第一磁珠FB1的规格参数分别是：频率为100MHz、电流为1.5A以及阻值为1K。

再进一步地，在所述具备低MEI辐射强度的产品电源电路中，所述第一电容C1的容量为10nF，所述第二电容C2的容量为100nF。

改进地，在所述具备低MEI辐射强度的产品电源电路中，所述DC/DC模块N1包括：

DC/DC芯片，该DC/DC芯片包括第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚、第五引脚、第六引脚、第七引脚、第八引脚和第九引脚，第九引脚接地；

电容CE1，该电容CE1的第一极分别连接第一磁珠FB1的末端和DC/DC芯片的第七引脚，电容CE1的第二极接地；

电容C11，该电容C11的第一极连接DC/DC芯片的第一引脚，电容C11的第二极连接DC/DC芯片的第八引脚；

二极管VD2，该二极管VD2的阳极接地，二极管VD2的阴极连接DC/DC芯片的第八引脚；